[发明专利]发光器件

说明书

本申请是2011年2月18日提交的申请号为201110042266.9，发明名称为“发光器件”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近年来，随着LED的亮度逐渐地增加，越来越多地将LED用作用于显示器的光源、用于车辆的光源以及用于照明系统的光源。通过使用荧光材料或者组合发射三原色的单个LED，可以实现发射白光和具有优异的效率的LED。

LED的亮度取决于各种条件，诸如有源层的结构、能够有效地将光提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片大小以及包封LED的成型构件的类型。

发明内容

实施例提供具有新颖的结构的发光器件及其制造方法以及发光器件封装。

实施例还提供基于具有优异的结晶性能的氮化物半导体材料的发光器件及其制造方法以及发光器件封装。

实施例还提供能够减少泄露电流的发光器件和其制造方法以及发光器件封装。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。该第一导电类型半导体层包括多个沟槽。所述有源层沿着沟槽形成。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。

在另一实施例中，发光器件包括：衬底；沟槽形成层，该沟槽形成层形成衬底上；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层形成在沟槽形成层上，具有处于大约1μm至大约5μm范围内的厚度，并且被掺杂有P型掺杂物；有源层，该有源层形成在第一导电类型半导体层上；和第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层形成在有源层上并且被掺杂有N型掺杂物。

在又一实施例中，发光器件包括：衬底；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层形成在衬底上，并且具有处于大约1μm至大约5μm范围内的厚度，并且被掺杂有P型掺杂物；有源层，该有源层形成在第一导电类型半导体层上；在有源层上的抗电流泄漏层，该抗电流泄漏层具有平坦的上表面，抗电流泄漏层具有大于有源层的带隙的带隙；以及第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层形成在有源层上并且被掺杂有N型掺杂物。

在又一实施例中，制造发光器件的方法包括：在衬底上形成包括多个沟槽的沟槽形成层；以保持沟槽的形状的方式在沟槽形成层上形成第一导电类型半导体层；以保持沟槽的形状的方式在第一导电类型半导体层上形成有源层；在有源层上形成具有平坦的上表面的抗电流泄漏层；以及在抗电流泄漏层上形成第二导电类型半导体层。

在又一实施例中，发光器件封装包括：封装主体部分；第一和第二引线电极，该第一和第二引线电极被安装在封装主体中；发光器件，该发光器件被安装在封装主体中并且被电气地连接到第一和第二引线电极；以及成型构件，该成型构件围绕发光器件。该发光器件包括第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层包括多个沟槽；有源层，该有源层沿着沟槽形成在第一导电类型半导体层的上表面上；抗电流泄漏层，该抗电流泄漏层形成在有源层上并且具有平坦的上表面；以及在抗电流泄漏层上的第二导电类型半导体层。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件的横截面图。

图2示出沟槽形成层的平面图和形成在图1的发光器件中的沟槽形成层处的沟槽的透视图。

图3示出沟槽形成层的平面图和形成在根据修改实施例的沟槽形成层处的沟槽的透视图。

图4示出沟槽形成层的平面图和形成在根据另一修改实施例的沟槽形成层处的沟槽的透视图。

图5是包括图1的发光器件的具有横向电极结构的发光器件的横截面图。

图6是包括图1的发光器件的具有垂直电极结构的发光器件的横截面图。

图7是根据修改实施例的发光器件的横截面图。

图8是根据另一修改实施例的发光器件的横截面图。

图9是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的横截面图。

图10是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图。

图11是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式