[发明专利]器件晶片的评价方法有效
| 申请号： | 201510349474.1 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105225980B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 介川直哉;原田晴司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 晶片 评价 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种器件晶片的评价方法，所述器件晶片在正面形成有多个器件并且在背面侧形成有包含磨削应变的去疵层，其特征在于，
朝向器件晶片的该背面照射电磁波并且照射一种单一波长的激励光而生成过量载流子，测量反射后的电磁波针对评价对象的所述器件晶片的衰减时间，并对该衰减时间与规定的基准时间进行比较，由此，判断器件晶片中形成的包含磨削应变的去疵层的去疵性，所述规定的基准时间是所述电磁波针对没有形成去疵层的晶片的衰减时间。
2.根据权利要求1所述的器件晶片的评价方法，其特征在于，
所述激励光的波长是904nm，
对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为94％以下的器件晶片，判断为具有去疵性。
3.根据权利要求1所述的器件晶片的评价方法，其特征在于，
所述激励光的波长是532nm，
对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为75％以下的器件晶片，判断为具有去疵性。
4.根据权利要求1所述的器件晶片的评价方法，其特征在于，
所述激励光的波长是349nm，
对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为45％以下的器件晶片，判断为具有去疵性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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