[发明专利]器件晶片的评价方法

说明书

器件晶片的评价方法。本发明提供一种能够在不污染器件晶片的情况下评价去疵性的评价方法。器件晶片(11)在正面(11a)形成有多个器件(19)并且在内部形成有去疵层(23)，该器件晶片的评价方法中，朝向器件晶片的背面(11b)照射电磁波(M1)并且照射激励光(L)而生成过量载流子，根据反射后的电磁波(M2)的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。

技术领域

本发明涉及对在正面上形成有多个器件的器件晶片的去疵性进行评价的评价方法。

背景技术

在以移动电话为代表的小型且重量轻的电子设备中，具有IC等器件的器件芯片是必要的结构。器件芯片例如以如下方式制造：利用被称为间隔道的多条分割预定线对由硅等材料制成的晶片的正面进行划分并在各区域形成器件之后，沿着该间隔道分割晶片。

近年来，以器件芯片的小型化、轻量化等为目的而将器件形成后的晶片(以下，称为器件晶片)加工成较薄的机会增加。然而，例如，当研磨器件晶片使其薄化到100μm以下时，对于器件来说，对有害金属元素的活动进行抑制的去疵效果会降低，器件的动作不良会变得多发。

为了解决该问题，提出了一种在器件晶片中形成捕获金属元素的去疵层的加工方法(例如，参照专利文献1)。在该加工方法中，通过按照规定的条件对器件晶片进行磨削，而在维持器件晶片的抗弯强度的同时形成包含规定的磨削应变的去疵层。

专利文献1：日本特开2009-94326号公报

发明内容

然而，采用上述的加工方法而形成的去疵层未必始终表现出良好的去疵性。要想评价去疵层的去疵性，例如可以实际利用金属元素来试着污染器件晶片，但是在该情况下，将会无法得到优质的器件芯片。即，采用该评价方法，无法评价作为产品的器件晶片。

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种器件晶片的评价方法，能够在不污染器件晶片的情况下评价去疵性。

根据本发明，提供一种器件晶片的评价方法，所述器件晶片在正面形成有多个器件并且在内部形成有去疵层，其特征在于，朝向器件晶片的背面照射电磁波并且照射激励光而生成过量载流子，根据反射后的电磁波的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。

本发明中，优选所述激励光的波长是904nm，对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为94％以下的器件晶片判断为具有去疵性。

并且，本发明中，优选所述激励光的波长是532nm，对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为75％以下的器件晶片判断为具有去疵性。

并且，本发明中，优选所述激励光的波长是349nm，对衰减时间相对于未在内部形成去疵层的晶片的衰减时间为45％以下的器件晶片判断为具有去疵性。

在本发明的器件晶片的评价方法中，由于对当去疵层的去疵性提高时由激励光的照射而产生的过量载流子的寿命变短这一关系加以利用，并根据与载流子寿命相当的反射后的电磁波的衰减时间来评价去疵性，因此不必像现有的评价方法那样用金属元素来污染器件晶片便能够评价去疵性。

附图说明

图1中的(A)是示意性示出形成去疵层前的器件晶片的立体图，(B)是示意性示出将保护部件粘贴到器件晶片的正面侧的情形的立体图。

图2是示意性示出对器件晶片的背面侧进行磨削而形成去疵层的情形的立体图。

图3是示意性示出对器件晶片的背面侧进行研磨而部分性地去除磨削应变(应力)的情形的立体图。

图4是示意性示出本实施方式的器件晶片的评价方法的局部剖视侧视图。

标号说明