[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括以下工序：

在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；

对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；以及

将形成有所述被处理膜的基板配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室内并对该基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序的过程中，对所述基板进行加热。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

对所述基板进行加热的工序是以使基板的周缘部侧的温度低于该基板的中央部侧的温度的方式进行的。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

将所述被处理膜的表面去除的工序是针对基板的每个区域设定紫外线的照度而进行的。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

在该基板处理方法中，使用载置台和升降机构，在所述处理室的下表面侧形成有开口部，该载置台能与所述开口部相嵌合，用于载置基板，该升降机构用于使载置台在用于进行所述基板的交接的交接位置与设于所述交接位置的上方侧的、用于将所述处理室的开口部封堵而将基板载置在处理室内的处理位置之间进行升降，

该基板处理方法包含如下工序：

在所述交接位置将至少涂敷有所述被处理膜的原料之后的基板载置在载置台上，并使该载置台上升到处理位置；以及

使载置有被处理膜的表面被去除后的基板的载置台自处理位置下降到交接位置并将该基板输出。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

所述被处理膜是含有碳化合物的有机膜。

8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序是针对在表面上形成有图案的基板进行的，

分别依次多次进行在基板上涂敷所述被处理膜的原料的工序、形成所述被处理膜的工序、以及将所述被处理膜的表面去除的工序，

至少在最后进行的将被处理膜的表面去除的工序之前进行的将被处理膜的表面去除的工序中，将所述被处理膜的表面去除，直至使所述图案的表面暴露为止。

9.一种基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括以下工序：

在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；

对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；

将形成有所述被处理膜的基板配置在具有排气机构的含氧气氛的处理室内，在停止利用所述排气机构进行排气的状态下向该基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除；以及

接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法包括以下工序：在执行将所述被处理膜的表面去除的工序之前，向所述处理室供给氧浓度高于空气中的氧浓度且为60体积％以下的范围内的含氧气体而形成所述含氧气氛。