[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统

说明书

本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上，对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着，将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。

技术领域

本发明涉及一种用于向基板照射紫外线而对被处理膜进行处理的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。

背景技术

在例如多层配线构造的半导体器件的制造工序中，依次进行在半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、以规定图案对该抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、以及使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，从而在晶圆上形成抗蚀剂图案。将该抗蚀剂图案作为掩模来对晶圆进行蚀刻处理，之后进行抗蚀剂膜的去除处理等，从而在晶圆上形成规定图案。如此多次重复进行在层叠后的各层上形成图案的工序，从而制成多层配线构造的半导体器件。

另外，在如此在晶圆上重复形成图案的情况下，在第n层上形成图案之后，为了使第(n+1)层的抗蚀剂膜形成为适当的高度，需要使被涂敷有抗蚀剂液的面为平坦的。

因此，以往，在晶圆的图案上形成被处理膜而使其表面平坦化。例如专利文献1所记载那样，能够通过如下方法来实现形成这样的被处理膜：在晶圆上涂敷原料，对涂敷后的原料进行加热而形成被处理膜，之后，利用例如干蚀刻法(反应性离子蚀刻法)对被处理膜进行回蚀(日文：エッチバック)而去除该被处理膜的表面。以下，将为了使基板平坦化而涂敷形成的被处理膜称作SOC(Spin On Cap：顶层旋涂)膜。

专利文献1：日本特开2003－218116号公报，段落0002～段落0003

发明内容

发明要解决的问题

在使用所述专利文献1所记载的方法的情况下，原料的涂敷和之后的加热是分别在常压气氛下进行的，而SOC膜的回蚀是在真空气氛下进行的。在这种情况下，需要使用分开的系统来进行这些常压气氛下的处理和真空气氛下的处理并在系统之间输送晶圆。因此，使系统的制造成本高额化，并还使晶圆处理的生产率降低。

另外，在利用干蚀刻法对SOC膜进行回蚀的情况下，晶圆、晶圆上的膜有可能被等离子体损伤。并且，晶圆上的膜还有可能被该等离子体改性。

本发明是考虑到这样的情况而做出的，其目的在于，提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。

用于解决问题的方案

本发明提供一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括以下工序：在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；以及将形成有所述被处理膜的基板配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室内并对该基板照射紫外线而将所述被处理膜的一部分去除。

另外，本发明提供另一种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括以下工序：在基板上涂敷被处理膜的原料，该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解；对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜；将形成有所述被处理膜的基板配置在具有排气机构的含氧气氛的处理室内，在停止利用所述排气机构进行排气的状态下向该基板照射紫外线而将所述被处理膜的一部分去除；以及接着，利用所述排气机构对处理室内进行排气。

所述各基板处理方法也可以具有以下的技术方案。