[发明专利]用于磁记录磁头的磁屏蔽件有效
| 申请号： | 201510353545.5 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105304097B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | R·箫;D·毛里;M·毛;H·希 | 申请（专利权）人： | 西部数据（弗里蒙特）公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;赵志刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 记录 磁头 屏蔽 | ||
1.一种用于磁记录磁头的磁屏蔽件，所述磁屏蔽件包括：
多个铁磁层；
包括B和Co的缓冲层；和
位于两个所述铁磁层之间的间隔层；
其中所述缓冲层包括35原子百分比和45原子百分比之间的Co，35原子百分比和45原子百分比之间的Fe以及15原子百分比和25原子百分比之间的B；以及
所述间隔层的厚度不超过10埃。
2.根据权利要求1所述的磁屏蔽件，其中所述缓冲层的厚度至少为5埃但不超过50埃。
3.一种用于磁记录磁头的磁屏蔽件，所述磁屏蔽件包括：
包括Ni和Fe的第一铁磁层；
包括Ni和Fe的第二铁磁层；
包括Ni和Fe的第三铁磁层；
包括Co和B的缓冲层；和
包括Ru的间隔层；
其中所述缓冲层包括35原子百分比和45原子百分比之间的Co，35原子百分比和45原子百分比之间的Fe以及15原子百分比和25原子百分比之间的B，
所述间隔层的厚度不超过10埃；
所述第一铁磁层位于磁传感器上方，所述缓冲层位于所述第一铁磁层上方，所述第二铁磁层位于所述缓冲层上方，所述间隔层位于所述第二铁磁层上方，并且所述第三铁磁层位于所述间隔层上方；以及
所述第一铁磁层通过所述缓冲层磁耦合到所述第二铁磁层。
4.一种用于制造磁屏蔽件的方法，所述方法包括：
沉积多个铁磁层；
沉积包括Co和B的缓冲层；
沉积位于两个所述铁磁层之间的间隔层；
其中所述缓冲层包括35原子百分比和45原子百分比之间的Co，35原子百分比和45原子百分比之间的Fe以及15原子百分比和25原子百分比之间的B，以及
所述间隔层的厚度不超过10埃。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述缓冲层进一步包括Fe。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述间隔层包括Ru。
7.根据权利要求4所述的方法，其中沉积所述多个铁磁层进一步包括在沉积磁传感器之后沉积第一铁磁层，在沉积所述缓冲层之后沉积第二铁磁层，以及在沉积所述间隔层之后沉积第三铁磁层。
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