[发明专利]用于磁记录磁头的磁屏蔽件

说明书

本发明涉及一种用于磁记录磁头的磁屏蔽件，该磁屏蔽件包括多个铁磁层、间隔层和缓冲层，其中缓冲层包括Co、Fe、B或其组合并有效地减少铁磁层内的不规则晶粒生长，间隔层包括Ru，并且铁磁层通过缓冲层和间隔层的每个磁耦合。

技术领域

本发明涉及磁记录技术，并且具体地涉及用于磁记录磁头的磁屏蔽件，该磁屏蔽件稳定且表现出高效反并联耦合性能。

背景技术

数据存储介质密度在过去几十年发生了显著增长。薄膜记录磁头技术通过出现的一些技术(例如，巨磁阻(giant magnetoresistive，GMR)、隧道型磁阻(tunnelingmagnetoresistive，TMR)或垂直磁记录(perpendicular magnetic recording，PMR))发展以跟上逐步增长的数据存储介质密度。每个这些磁记录技术可能包含作为完整的磁记录磁头系统的部件的磁屏蔽件。随着各种记录磁头技术针对越来越小的位大小，要求增加磁屏蔽域稳定化来减少磁噪声。管理磁屏蔽域稳定性的一种方法是包含反铁磁材料以将屏蔽件偏置到期望的磁方向，由此建立反并联复合屏蔽结构。在这种结构中，薄膜记录传感器被软偏置材料包围，并且间隔层分隔的一对铁磁层沉积在薄膜记录传感器上，使得上部铁磁层磁固定(pin)到下部铁磁层，但由间隔层分隔。在这种屏蔽结构中，随着间隔层厚度增加，磁耦合性能降低，有效限制了间隔层厚度。然而，对于非常薄的间隔厚度，屏蔽稳定性由于围绕间隔层的铁磁层内的不规则晶粒生长而降低。不规则生长随着屏蔽件的多次退火而增加，因此屏蔽件稳定性随着多次退火而降低。这种限制要求间隔层更厚以避免屏蔽件不稳定，但要求其更薄以维持强的反并联耦合性能，因而有效限制了当前可用磁屏蔽件的有效性。

附图说明

在附图中通过示例示出各种实施例，但并不限于此，其中：

图1示出没有缓冲层、用于磁记录磁头的磁屏蔽件的截面图；

图2示出根据本文公开的实施例的具有缓冲层、用于磁记录磁头的磁屏蔽件的截面图；

图3的图形示出增加的软偏置(soft bias，SB)稳定性对应于增加的反并联耦合强度；

图4A的图形示出例如对于根据本文公开的实施例的包含缓冲层的磁屏蔽件的磁耦合强度与Ru层厚度的关系；

图4B的图形示出对于不包含缓冲层的磁屏蔽件的磁耦合强度与Ru层厚度的关系；

图5A是磁光克尔效应(Magneto-Optical Kerr Effect，MOKE)图形，其比较在经历退火工艺之前，具有缓冲层的磁屏蔽件和不具有缓冲层的磁屏蔽件之间响应于外部磁场的磁取向(magnetic alignment)；

图5B的MOKE图形比较在经历退火工艺之后，具有缓冲层的磁屏蔽件和不具有缓冲层的磁屏蔽件之间响应于外部磁场的磁取向；

图6的工艺流程图示出用于形成根据本文公开的实施例的具有缓冲层的磁屏蔽件的方法。

所述附图并不意味着穷尽本发明或者将本发明限制到所公开的精确形式。应当理解，本发明能够利用修改和替代来实现，并且所公开的技术仅由权利要求及其等同体限制。

具体实施方式

在下列描述中，阐述若干具体细节以提供对本发明的各种实施例的完整理解。然而，对于本领域技术人员明显的是，这些具体细节并不需要用于实现本发明的各种实施例。在其他情况下，已知部件或方法没有具体描述以免不必要地模糊本发明的各种实施例。

如所公开的，用于磁记录磁头的磁屏蔽件可以包括多个铁磁层、缓冲层和间隔层。例如，铁磁层可以是NiFe，缓冲层可以是CoFeB，并且间隔层可以是Ru。在一些实例中，缓冲层的厚度在5埃和50埃之间。在一个实例中，间隔层的厚度不超过10埃。