[发明专利]光致抗蚀剂图案形成方法有效
| 申请号： | 201510353799.7 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105319837B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵庸桓;全吉敏;朴汉雨 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 图案 形成 方法 | ||
1.负型光致抗蚀剂图案形成方法，是具备制膜工序、使用照射平行光线的光源的曝光工序和显影工序的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，在显影工序后进一步进行使用与曝光工序中相同的光源的追加曝光工序。
2.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，相对于显影工序前的曝光工序，以4～20倍的能量进行上述追加曝光工序。
3.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述追加曝光工序是不用掩模进行的全面曝光。
4.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，形成光致抗蚀剂图案的基板是柔性基板。
5.权利要求4所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述基板为高分子基板。
6.权利要求5所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述高分子基板是由选自聚醚砜(PES；polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(PAR；polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI；polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN；polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET；polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS；polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC；polycarbonate)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP；cellulose acetate propionate)中的至少一种的高分子形成的基板。
7.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述制膜工序后、曝光工序前进一步进行预烘焙工序。
8.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，在上述追加曝光工序后进行或不进行后烘焙工序。
9.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，在上述显影工序后、追加曝光工序前进行后烘焙工序。
10.权利要求1所述的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述光致抗蚀剂图案具备选自阵列平坦化膜图案、保护膜图案、绝缘膜图案、光致抗蚀剂图案、黑底图案和柱状间隔物图案中的图案。
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