[发明专利]光致抗蚀剂图案形成方法

说明书

本发明涉及光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明涉及在具备制膜工序、曝光工序和显影工序的光致抗蚀剂图案形成方法中通过在显影工序后进一步进行追加曝光工序，从而不需要在显影后进行热处理工序的光致抗蚀剂图案的形成方法。

技术领域

本发明涉及光致抗蚀剂图案形成方法，更详细地说，涉及显影后不需要热固化工序的光致抗蚀剂图案形成方法。

背景技术

光刻法是在半导体、薄膜晶体管、触摸电极等各种微细图案的形成中最广泛使用的方法，是如下方法：通过将要形成图案的材料在基板上蒸镀后，用光致抗蚀剂形成与上述图案对应的抗蚀剂图案后，除了形成了抗蚀剂图案的部分以外进行蚀刻而得到微细图案。

利用光致抗蚀剂形成光致抗蚀剂图案的一般的方法具备：在要形成图案的原料的蒸镀膜上涂布光致抗蚀剂用感光性树脂组合物的制膜工序、使用与要形成的图案对应地制造的掩模对光致抗蚀剂感光性树脂膜选择性地照射光的曝光工序、和通过划分上述经曝光的区域和未曝光的区域而将其除去(利用正型方式和负型方式除去的部分彼此不同)从而得到所需的光致抗蚀剂图案的显影工序。

此外，通过在曝光工序前进行预烘焙(pre-bake)工序，从而防止制膜的树脂膜的移动，通过在显影工序后进行后烘焙(post-bake)工序，从而提高形成的抗蚀剂图案的耐化学性、耐热性等的耐久性。

但是，近年来，由于光致抗蚀剂的使用领域的多样化，有时使用如柔性显示装置那样对于热脆弱的高分子基板，因此产生了不得不更稳定地进行后烘焙工序的热处理条件的状况。

但是，这样的情况下，存在如下的问题：光致抗蚀剂图案的耐久性降低，光刻工序中的抗蚀剂图案的可靠度降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国公开专利第2003-0082875号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供不需要后烘焙工序的光致抗蚀剂图案的形成方法。

此外，本发明的另一目的在于提供即使不实施后烘焙工序也能够形成耐热性和耐化学性等的可靠性优异的光致抗蚀剂图案的方法。

用于解决技术问题的技术手段

1.光致抗蚀剂图案形成方法，在具备制膜工序、曝光工序和显影工序的光致抗蚀剂图案形成方法中，在显影工序后还进行追加曝光工序。

2.上述项目1的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，相对于显影工序前的曝光工序，以4～20倍的能量进行上述追加曝光工序。

3.上述项目1的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述追加曝光工序是不用掩模进行的全面曝光。

4.上述项目1的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，形成了光致抗蚀剂图案的基板为柔性基板。

5.上述项目4的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述基板为高分子基板。

6.上述项目5的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，上述高分子基板是由选自聚醚砜(PES；polyethersulphone)、聚丙烯酸酯(PAR；polyacrylate)、聚醚酰亚胺(PEI；polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN；polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET；polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(PPS；polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC；polycarbonate)、三乙酸纤维素(TAC)、和乙酸丙酸纤维素(CAP；cellulose acetate propionate)中的至少一种高分子形成的基板。