[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510359215.7 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN105097832B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括横纵交叉的栅线和数据线、与所述数据线交叉的公共电极线,由所述栅线和所述数据线交叉界定的多个像素单元,所述像素单元设置有像素电极;其特征在于,
所述公共电极线上设置有与所述公共电极线电连接的第一凸起;
所述栅线上设置有第一凹槽;
所述第一凸起位于所述第一凹槽中;
所述像素电极与所述第一凸起重叠;
所述像素电极完全覆盖所述第一凸起。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括TFT,所述TFT漏极的位置与所述第一凸起的位置相对应。
3.根据权利要求1-2任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元包括相邻,且与同一条数据线相连的第一像素单元和第二像素单元;
所述第一像素单元中的公共电极线上还设置有与所述公共电极线电连接的第二凸起;
所述第一像素单元中的栅线上还设置有第二凹槽;所述第二凸起位于所述第二凹槽中;
所述第二凸起与所述第二像素单元的公共电极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括透明电连接线;
所述透明电连接线与所述第二凸起和所述第二像素单元的公共电极直接接触;
或者,所述第二像素单元中设置有导电块,所述导电块与第二像素单元的公共电极相连接,所述透明电连接线与所述第二凸起和所述导电块直接接触。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线还设置有第三凹槽,所述第三凹槽的开口方向与所述第一凹槽和所述第二凹槽的开口方向相反,所述导电块位于所述第三凹槽中。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线与所述栅线同材料。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上,形成栅线、公共电极线的图案,所述栅线的图案上形成有第一凹槽,所述公共电极线的图案上形成有与所述公共电极线相连接的第一凸起;其中,所述第一凸起位于所述第一凹槽中;
在所述衬底基板上,形成数据线的图案,所述数据线与所述栅线交叉界定出多个像素单元;
在所述像素单元中形成像素电极的图案,所述像素电极与所述第一凸起重叠;
形成所述像素电极的图案包括,所述像素电极完全覆盖所述第一凸起。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成栅线图案的步骤之前,所述方法还包括在所述衬底基板上,通过构图工艺形成公共电极的图案,每一个公共电极的图案对应一个所述像素单元,所述像素单元包括相邻,且与同一条数据线相连的第一像素单元和第二像素单元;
所述形成所述栅线和所述公共电极线的图案包括:
在形成有位于第一像素单元的公共电极图案的基板上,形成所述栅线和所述公共电极线的图案,所述栅线的图案上形成有第二凹槽,所述公共电极线的图案上形成有与所述公共电极线电连接的第二凸起,所述第二凸起位于所述第二凹槽中;
在形成有所述栅线和所述公共电极线的基板上,通过构图工艺依次形成栅极绝缘层、半导体有源层的图案、TFT的源、漏极、数据线的图案、钝化层,所述TFT漏极的位置与所述第一凸起的位置相对应;
将所述第二凸起与所述第二像素单元的公共电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的