[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510359215.7 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN105097832B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够增大像素单元的存储电容。所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线、与数据线交叉的公共电极线,由栅线和数据线交叉界定的多个像素单元,像素单元设置有像素电极;公共电极线上设置有与公共电极线电连接的第一凸起;栅线上设置有第一凹槽;第一凸起位于第一凹槽中;像素电极与第一凸起重叠。用于显示设备。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置,因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
TFT-LCD实现一帧画面显示的基本原理是通过栅线依次从上到下对每一行像素单元输入一定宽度的方波进行选通,再通过数据线向被选通像素单元的存储电容充电。通过存储电容控制液晶分子在一段时间内保持的某一偏转角度,从而实现对光线强弱的控制。
然而,如果显示装置中的存储电容太小,会导致像素单元在电压保持阶段的亮度不能达到设计值,造成显示不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够增大像素单元的存储电容。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种阵列基板,包括横纵交叉的栅线和数据线、与所述数据线交叉的公共电极线,由所述栅线和所述数据线交叉界定的多个像素单元,所述像素单元设置有像素电极;所述公共电极线上设置有与所述公共电极线电连接的第一凸起;所述栅线上设置有第一凹槽;所述第一凸起位于所述第一凹槽中;所述像素电极与所述第一凸起重叠。
优选的,所述像素电极完全覆盖所述第一凸起。
优选的,所述像素单元还包括TFT,所述TFT漏极的位置与所述第一凸起的位置相对应。
优选的,所述像素单元包括相邻,且与同一条数据线相连的第一像素单元和第二像素单元;所述第一像素单元中的公共电极线上还设置有与所述公共电极线电连接的第二凸起;所述第一像素单元中的栅线上还设置有第二凹槽;所述第二凸起位于所述第二凹槽中;所述第二凸起与所述第二像素单元的公共电极电连接。
优选的,还包括透明电连接线;所述透明电连接线与所述第二凸起和所述第二像素单元的公共电极直接接触;或者,所述第二像素单元中设置有导电块,所述导电块与第二像素单元的公共电极相连接,所述透明电连接线与所述第二凸起和所述导电块直接接触。
可选的,所述栅线还设置有第三凹槽,所述第三凹槽的开口方向与所述第一凹槽和所述第二凹槽的开口方向相反,所述导电块位于所述第三凹槽中。
优选的,所述公共电极线与所述栅线同材料。
本发明实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括如上所述的任意一种阵列基板。
本发明实施例的又一方面,提供一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上,形成栅线、公共电极线的图案,所述栅线的图案上形成有第一凹槽,所述公共电极线的图案上形成有与所述公共电极线相连接的第一凸起;其中,所述第一凸起位于所述第一凹槽中;在所述衬底基板上,形成数据线的图案,所述数据线与所述栅线横纵交叉界定出多个像素单元;在所述像素单元中形成像素电极的图案,所述像素电极与所述第一凸起重叠。
优选的,形成所述像素电极的图案包括,所述像素电极完全覆盖所述第一凸起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的