[发明专利]像素结构、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，其特征在于，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管形成于所述扫描线与所述数据线的交叠处，所述薄膜晶体管包括栅极、多晶硅层、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电性连接，所述多晶硅层设置于所述栅极上方，所述源极和漏极设置于所述多晶硅层上方，并分别通过一第二过孔与所述多晶硅层电性连接，所述公共电极通过一第三过孔与所述第二连接层电性连接，所述像素电极通过一第三过孔及一第四过孔与所述漏极电性连接。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括基板及依次层叠设置于所述基板上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述栅极与所述第一连接层间隔设置于所述基板上，所述第一绝缘层设置于所述栅极及第一连接层上方，所述多晶硅层设置于所述第一绝缘层上方，且在正投影方向上与所述栅极对齐，所述第二绝缘层设置于所述多晶硅层上方，所述第三绝缘层设置于所述第二绝缘层上方，所述公共电极设置于所述第三绝缘层上方，所述第四绝缘层设置于所述公共电极上方，所述像素电极设置于所述第四绝缘层上方。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述源极、漏极及所述第二连接层设置于所述第三绝缘层内，且所述源极在正投影方向上与所述多晶硅层的一端部分重叠，所述漏极在正投影方向上所述多晶硅层的另一端部分重叠，所述第二连接层位于所述第一连接层上方，且在正投影方向上与所述第一连接层部分重叠。

6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述多晶硅层包括第一连接段、第二连接段及第三连接段，所述第一连接段与所述第三连接段相互平行间隔地跨越所述扫描线设置，所述第二连接段连接于所述第一连接段和第三连接段位于所述扫描线同一侧的两端之间，并与所述扫描线平行。

7.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一连接层与所述栅极和所述扫描线位于同一图层，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线位于同一图层，所述第一连接层与所述栅极和扫描线在同一次制作工艺中同步形成，所述第二连接层与所述源极、漏极和所述数据线在同一次制作工艺中同步形成。

8.一种阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线及多个像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，其特征在于，所述阵列基板还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。

10.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1-7任意一项所述的像素结构。