[发明专利]像素结构、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、一种具有该像素结构的阵列基板及一种应用该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着触摸屏技术的不断发展，触控(Touch)和显示(Display)不再是两种独立的技术形式，越来越多的薄膜晶体管型液晶显示屏(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)厂家开始尝试将Touch和Display两者进行有机的结合，内嵌式触控(In-CellTouch)、单片式触控(OneGlassSolution，OGS)、覆盖表面式触控(On-CellTouch)和混合内嵌式触控(HybridIn-CellTouch)等将Touch和Display相结合的触控技术竞相涌现。

相比OGS、On-CellTouch或HybridIn-CellTouch面板，In-CellTouch面板具备更加轻薄、工艺流程更少、结构更加稳定等优点。In-CellTouch技术将触控电路全部集成在LCD内部，无须再外贴触控感应玻璃(TouchSensorGlass)或者在LCD上面再进行On-Cell制程，从而实现了集成化及缩短了生产流程和生产时间，使得LCD生产厂商的利润更大化。同时，通过使用高分辨的曝光机，可以实现In-CellTouch面板更高的分辨率，并能有效防止莫瑞干涉。因此，In-CellTouch面板将成为中小尺寸触控面板未来发展的主流方向。

在In-CellTouch面板的生产过程中，需要在阵列基板上设计为了触控显示的电极和走线，如采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)阵列，其阵列制程比传统的传统非晶硅(α-Si)制程复杂得多。所以In-CellTouch和LTPS的集成不但会使得阵列制程更加复杂，生产周期更长，而且对阵列制程的要求也更加严格。

In-CellTouch面板一般可分为自容式和互容式，二者都需要用于连接像素区域的连接电极，因此制程上会增加一道或两道光刻(PhotoEngravingProcess，PEP)制程来制作连接像素区域的连接电极(或称作Metal3或M3)和相应的绝缘层。增加的M3制程会对产品的良率产生风险，因为M3的刻蚀制程会导致斑纹(Mura)缺陷。然而，在In-CellTouch技术中又不得不采用M3以连接像素区域，因此一定程度上限制了In-CellTouch面板良率提升。

发明内容

本发明提供一种像素结构，通过利用现有的栅极金属和源/漏极金属来制作用于连接像素区域的连接电极，以简化阵列基板制程、降低产生斑纹缺陷的风险、提升产品良率。

另外，本发明还提供一种应用该像素结构的阵列基板。

此外，本发明还提供一种应用该阵列基板的显示装置。

一种像素结构，包括扫描线、数据线及像素区域，所述扫描线沿水平方向平行间隔设置，所述数据线沿垂直方向平行间隔设置，所述扫描线与所述数据线相互交叠形成所述像素区域，所述像素结构还包括用于连接所述像素区域的连接电极，所述连接电极包括第一连接层和第二连接层，所述第一连接层与所述扫描线位于同一图层，并与所述扫描线交叉设置，所述第一连接层在与所述扫描线的交叉处被隔断，所述第二连接层与所述数据线位于同一图层，并跨越所述扫描线设置，所述第一连接层在所述交叉处的两侧通过第一过孔与所述第二连接层电性连接。

其中，所述第一连接层设置于所述数据线下方，并在被所述扫描线隔断处的两侧沿平行于所述扫描线的方向同向延伸一段距离，以在所述隔断处的两侧各形成一连接端，所述第二连接层的两端在正投影方向上与所述连接端部分重叠，并通过所述第一过孔与所述连接端电性连接。

其中，所述像素结构还包括薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管形成于所述扫描线与所述数据线的交叠处，所述薄膜晶体管包括栅极、多晶硅层、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电性连接，所述多晶硅层设置于所述栅极上方，所述源极和漏极设置于所述多晶硅层上方，并分别通过一第二过孔与所述多晶硅层电性连接，所述公共电极通过一第三过孔与所述第二连接层电性连接，所述像素电极通过一第三过孔及一第四过孔与所述漏极电性连接。