[发明专利]一种过滤除菌膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510365267.5 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN104998559A 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 凌云;金可心;夏戊君;凌天阳 申请(专利权)人: 苏州佑君环境科技有限公司
主分类号: B01D71/36 分类号: B01D71/36;B01D67/00;B01D69/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 李纪昌
地址: 215000 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 过滤 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及生物工程用新材料领域,尤其涉及一种过滤除菌膜及其制备方法。

背景技术

微生物反应和发酵方法进行生产产品有抗菌素、味精、有机酸、酶制剂、黄原胶、食用菌等。品种多,涉及的行业广、生产厂家规模大,且生产过程均需要大量无菌空气。传统的净化系统能耗大、净化效率低、染菌率高,严重制约着各生产厂家的发展。近年来膜过滤的出现克服了传统空气过滤系统的大部分缺点,可以称得上是一次革命。

一时间似乎空气净化系统问题已解决,其实不然,已使用膜过滤器厂家照样频频出现问题。要想真正解决发酵厂家的空气过滤系统问题,必须解决好以下三个问题:首先,发酵厂家生产技术人员对膜过滤器的认知;其次,老的过滤系统状态与新型设备使用条件的匹配;此外,过滤膜的选择也非常重要。以上三个问题也可以用一点来概括,即发酵厂家的技术人员必须对膜过滤的原理以及不同过滤介质的特性有较为准确的掌握,以此来结合自己车间旧的过滤系统的状况最终做出决定。

发明内容

解决的技术问题:为了获得一种适用于发酵过程中的除菌膜,本发明提供了一种过滤除菌膜及其制备方法。

为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

一种过滤除菌膜,主要由以下原料按质量份数配比制成:次氯酸钠12~25份、季铵盐8~20份、戊二醛12~23份、过氧乙酸8~22份、丝素12~30份、丝胶12~20份、聚四氟乙烯18~35份、碳酸钠7~14份、去离子水25~60份。

作为本发明的一种优选方案,主要由以下原料按质量份数配比制成:次氯酸钠22份、季铵盐18份、戊二醛17份、过氧乙酸16份、丝素24份、丝胶16份、聚四氟乙烯28份、碳酸钠12份、去离子水55份。

一种过滤除菌膜的制备方法,包含以下步骤:

(1)将次氯酸钠、季铵盐、戊二醛和过氧乙酸按质量比0.5~3:2~5:4~6:7~9溶于去离子水中,制成基液;

(2)将丝素、丝胶、碳酸钠溶于去离子水中,搅拌至完全溶解;

(3)将聚四氟乙烯置于反应釜中,在温度为620~800℃、压力为1.9~3.6MPa的条件下制成熔融物,并经干燥、粉碎制成粉末,粒径为50~100纳米;

(4)将步骤(3)中获得的纳米颗粒加入步骤(1)的基液中,在温度为620~800℃、转速为2000~3000转/分钟条件下搅拌,边搅拌边向其中加入步骤(2)获得的混合溶液,直至粘稠状膏体;

(5)将步骤(4)获得的混合物涂布于模具中,在620~800℃、1.9~3.6MPa条件下压制成型,制得过滤除菌膜。

作为本发明的一种优选技术方案,步骤(1)中将次氯酸钠、季铵盐、戊二醛和过氧乙酸按质量比1:4:5:8溶于去离子水中,制成基液。

作为本发明的一种优选技术方案,步骤(3)中将聚四氟乙烯置于反应釜中,在温度为760℃、压力为3.3MPa的条件下制成熔融物,并经干燥、粉碎制成粉末,粒径为80纳米。

作为本发明的一种优选技术方案,步骤(4)中将步骤(3)中获得的纳米颗粒加入步骤(1)的基液中,在温度为760℃、转速为2800转/分钟条件下搅拌,边搅拌边向其中加入步骤(2)获得的混合溶液,直至粘稠状膏体。

作为本发明的一种优选技术方案,步骤(5)中将步骤(4)获得的混合物涂布于模具中,在760℃、3.3MPa条件下压制成型,制得过滤除菌膜。

有益效果

与现有技术相比,本发明具有以下优点:

    (1)本发明制得的过滤除菌膜能够有效去除发酵过程中的菌体,防止染菌;

    (2)本发明制得的过滤除菌膜耐高温、使用寿命长、价格低廉。

具体实施方式

实施例1:

一种过滤除菌膜,主要由以下原料按质量份数配比制成:次氯酸钠12份、季铵盐8份、戊二醛12份、过氧乙酸8份、丝素12份、丝胶12份、聚四氟乙烯18份、碳酸钠7份、去离子水25份。

一种过滤除菌膜的制备方法,包含以下步骤:

(1)将次氯酸钠、季铵盐、戊二醛和过氧乙酸按质量比0.5:2:4:7溶于去离子水中,制成基液;

(2)将丝素、丝胶、碳酸钠溶于去离子水中,搅拌至完全溶解;

(3)将聚四氟乙烯置于反应釜中,在温度为620℃、压力为1.9MPa的条件下制成熔融物,并经干燥、粉碎制成粉末,粒径为50纳米;

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