[发明专利]附加浓度决定方法、立体形成方法及立体形成装置有效
申请号: | 201510367123.3 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN105269998B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 山崎修一 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | B41M3/06 | 分类号: | B41M3/06;B41J2/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收剂 关注像素 像素 周边像素 规定条件 介质加热 形成装置 发泡 加热 | ||
1.一种附加浓度决定方法,决定热吸收剂的附加浓度,上述附加浓度决定方法的特征在于,
上述热吸收剂的附加浓度是在对由于加热而发泡的介质加热前对该介质的表面附加的上述热吸收剂的附加浓度,并且该热吸收剂的附加浓度针对与上述介质的表面对应的多个像素的每个像素而设定,
在上述多个像素中的关注像素的原始的附加浓度满足第1规定条件时,
将基于第1平均浓度和第2平均浓度决定的浓度设定为该关注像素的附加浓度,该第1平均浓度基于处于上述关注像素的周边的第1多个周边像素的原始的附加浓度,该第2平均浓度基于第2多个周边像素的原始的附加浓度。
2.根据权利要求1所述的附加浓度决定方法,其特征在于,
在上述关注像素的原始的附加浓度满足上述第1规定条件、并且上述第1平均浓度及上述第2平均浓度满足第2规定条件时,将上述第1平均浓度设定为该关注像素的附加浓度,
这里,上述第2多个周边像素包含的像素数,多于上述第1多个周边像素包含的像素数。
3.根据权利要求1或者2所述的附加浓度决定方法,其特征在于,
上述关注像素的原始的附加浓度不满足第1规定条件时,
将该关注像素的原始的附加浓度设定为该关注像素的附加浓度。
4.根据权利要求1所述的附加浓度决定方法,其特征在于,
上述关注像素的原始的附加浓度为第1阈值以上、并且上述第1平均浓度为上述第1阈值以上、并且上述第2平均浓度超过第2阈值时,将上述第1平均浓度设定为上述关注像素的附加浓度。
5.根据权利要求4所述的附加浓度决定方法,其特征在于,
上述关注像素的原始的附加浓度小于第1阈值时,将该关注像素的原始的附加浓度设定为该关注像素的附加浓度。
6.根据权利要求4或者5所述的附加浓度决定方法,其特征在于,
在将以上述关注像素为中心的9个像素平均浓度设为上述第1平均浓度,
并将以上述关注像素为中心的121个像素平均浓度设为上述第2平均浓度时,
设上述第1阈值为0.5,
设上述第2阈值大于0且为0.3以下,
这里,对各像素设定的上述附加浓度能够取0以上1以下的范围的值。
7.一种立体形成方法,对介质的表面加热而使之发泡,上述立体形成方法的特征在于,
包括决定热吸收剂的附加浓度的处理,该热吸收剂的附加浓度是对上述介质加热前对该介质的表面附加的上述热吸收剂的附加浓度,并且该热吸收剂的附加浓度针对与上述介质的表面对应的多个像素的每个像素而设定,
决定上述热吸收剂的附加浓度的处理为,
在上述多个像素中的关注像素的原始的附加浓度满足第1规定条件时,
将基于第1平均浓度和第2平均浓度决定的浓度设定为该关注像素的附加浓度,该第1平均浓度基于处于上述关注像素的周边的第1多个周边像素的原始的附加浓度,该第2平均浓度基于第2多个周边像素的原始的附加浓度。
8.根据权利要求7所述的立体形成方法,其特征在于,
决定上述热吸收剂的附加浓度的处理包括:
在上述关注像素的原始的附加浓度满足上述第1规定条件、并且上述第1平均浓度及上述第2平均浓度满足第2规定条件时,将上述第1平均浓度设定为该关注像素的附加浓度,
这里,上述第2多个周边像素包含的像素数,多于上述第1多个周边像素包含的像素数。
9.根据权利要求7或者8所述的立体形成方法,其特征在于,
决定上述热吸收剂的附加浓度的处理包括:
上述关注像素的原始的附加浓度不满足第1规定条件时,
将该关注像素的原始的附加浓度设定为该关注像素的附加浓度。
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