[发明专利]用于形成垂直导电连接的方法

权利要求书

1.一种用于形成垂直导电连接的方法，所述方法包括：

形成电绝缘层，所述电绝缘层包括垂直延伸通过所述电绝缘层的孔洞；

沉积导电层，其中所述导电层的表面包括在所述电绝缘层的所述孔洞上方的凹陷；

在所述导电层上形成平滑层；以及

刻蚀所述孔洞之上的所述平滑层和所述导电层，直到在所述电绝缘层的表面的至少一部分上方去除所述导电层并且所述导电层保留在所述孔洞内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电绝缘层的所述孔洞上方的凹陷包括第一深度，其中在所述电绝缘层的所述孔洞的位置处，所述平滑层包括具有第二深度的凹陷或者是无凹陷的，其中所述第一深度大于所述第二深度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一深度大于200nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二深度小于100nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中刻蚀所述平滑层和所述导电层包括在共同的刻蚀工艺期间刻蚀所述平滑层和所述导电层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述平滑层和所述导电层由相同的刻蚀剂刻蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述刻蚀剂是基于氟的刻蚀剂。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述平滑层在所述共同的刻蚀工艺期间利用第一刻蚀速率进行刻蚀，并且所述导电层在所述共同的刻蚀工艺期间利用第二刻蚀速率进行刻蚀，其中所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率相差小于所述第二刻蚀速率的30％。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述平滑层是包括底部抗反射涂层、光致抗蚀剂层、漆层和酰亚胺层的组中的一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层包括从钨、铜和铝组成的组中选择的导电材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔洞通过所述电绝缘层到达所述电绝缘层下方的半导体衬底或者金属层。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述电绝缘层上沉积阻挡层结构，其中所述导电层被沉积在所述阻挡层结构上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述阻挡层结构包括从由钛和氮化钛组成的组中选择的材料。

14.根据权利要求12的所述的方法，进一步包括刻蚀所述阻挡层结构直到在所述电绝缘层的表面的至少一部分上方去除所述阻挡层结构。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括沉积与所述导电层的保留在所述孔洞中的部分电接触的金属层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法在不具有化学机械抛光工艺的情况下在所述导电层和所述金属层的所述沉积之间实现。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔洞包括50nm和5μm之间的横向尺寸。