[发明专利]用于形成垂直导电连接的方法

说明书

一种用于形成垂直导电连接的方法包括形成包括垂直延伸通过电绝缘层的至少一个孔洞的电绝缘层以及沉积导电层。导电层的表面包括电绝缘层的至少一个孔洞的位置处的凹陷。进一步地，该方法包括在导电层上形成平滑层，以及刻蚀平滑层和导电层直到在电绝缘层的表面的至少一部分上方去除导电层并且导电层保留在至少一个孔洞内。

技术领域

实施例涉及电气器件的制造，并且具体实施例涉及用于形成垂直导电连接的方法、用于形成半导体器件的方法以及用于形成半导体器件的钨连接的方法。

背景技术

芯片上的布线的制造是具有挑战性的任务。需要许多工艺步骤以获得小尺寸的可靠的导电水平线和垂直连接。一般而言，期望增加电气器件的可靠性。

发明内容

一些实施例涉及一种用于形成垂直导电连接的方法。该方法包括形成包括垂直延伸通过电绝缘层的至少一个孔洞的电绝缘层以及沉积导电层。导电层的表面包括在电绝缘层的至少一个孔洞上方的凹陷。进一步地，该方法包括在导电层上形成平滑层以及刻蚀平滑层和导电层直到在电绝缘层的表面的至少一部分上方去除导电层并且导电层保留在至少一个孔洞内。

一些实施例涉及一种形成半导体器件的方法。该方法包括形成包括垂直延伸通过电绝缘层的至少一个孔洞的电绝缘层以及沉积导电层。导电层的表面包括在电绝缘层的至少一个孔洞的位置处的凹陷。进一步地，该方法包括在导电层上形成平滑层以及刻蚀平滑层和导电层直到在电绝缘层的表面的至少一部分上方去除导电层并且导电层保留在至少一个孔洞内。

一些实施例涉及一种形成半导体器件的钨连接的方法。该方法包括形成电绝缘层，电绝缘层包括垂直延伸通过电绝缘层到半导体器件的半导体衬底或金属层的至少一个孔洞，以及在形成电绝缘层之后沉积钨层。进一步地，该方法包括在钨层上形成平滑层以及刻蚀平滑层和钨层直到在电绝缘层的表面的至少一部分上方去除钨层并且钨层保留在至少一个孔洞内。

附图说明

装置和/或方法的一些实施例将在下面仅通过示例的方式并且参考附图进行描述，在附图中

图1示出了用于形成垂直导电连接的方法的流程图；

图2a-图2d示出了垂直导电连接的制造的示意图示；

图3示出了用于形成半导体器件的方法的流程图；以及

图4示出了用于形成半导体器件的钨连接的方法的流程图。

具体实施方式

现在将参考其中图示了一些示例实施例的附图更加充分地描述各种示例实施例。在图中，为了清楚起见，线、层和/或区域的厚度可以被夸大。

因此，虽然进一步的实施例能够有各种修改和备选形式，但是其一些示例实施例仅通过示例的方式在图中示出，并且将在本文中详细描述。然而，应当理解，无意将示例实施例限定于所公开的特定形式，而是相反，示例实施例应当涵盖落入本公开的范围内的所有修改、等价物和备选物。贯穿附图的描述，相同数字指代相同或相似的元件。

应该理解的是，当一个元件被称为“连接”或者“耦合”到另一元件时，它可以直接连接或者耦合到另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为被“直接连接”或者“直接耦合”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他词措辞应该以类似的方式解释(例如，“之间”对“直接之间”，“邻近”与“直接邻近”等)。

本文所使用的术语仅用于描述特定示例实施例的目的，而并不旨在限制进一步的示例实施例。如本文所用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另外指明。将进一步理解，术语“包括”、“包括了”、“包含”和/或“包含了”当在本文中使用时，指明所陈述的特征、整体、动作、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或者多个其他特征、整体、动作、操作、元件、部件和/或其群组的存在或者附加。