[发明专利]一种自动控温等离子体装置

权利要求书

1.一种自动控温等离子体装置，其特征在于，所述自动控温等离子体装置，包括：

容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；

盖体，设置在所述容置腔室上，并在所述容置腔室与所述盖体之间设置密封环，所述盖体之异于所述容置腔室的一侧涂覆绝缘涂层；

自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测所述盖体之温度；温度控制器，接收来自所述温度侦测器之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置，执行所述温度控制器之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。

2.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述温度侦测器为温度传感器。

3.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述盖体内设置循环水冷却系统。

4.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述待等离子体工艺处理之晶圆的上方与所述盖体底部之间的反应区域产生感应电场，在离子轰击过程中形成高于所述绝缘涂层之承受温度的工艺温度。

5.如权利要求4所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述绝缘涂层之承受温度为150℃。

6.如权利要求5所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述温度侦测器之侦测温度高于150℃时，所述温度控制器发出指令，所述报警装置发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。

7.如权利要求1所述的自动控温等离子体装置，其特征在于，所述容置腔室内之底部进一步设置基座，所述基座上设置静电夹具，所述待等离子体工艺处理之晶圆设置在所述静电夹具之异于所述基座的一侧。