[发明专利]一种自动控温等离子体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种自动控温等离子体装置。

背景技术

目前，在半导体制造工艺中已广泛实施以进行薄膜沉积或刻蚀等作为目的的等离子体处理。例如美国泛林半导体设备公司(LAM)的高密度等离子体机台(High Density Plasma)工艺是在真空腔体内的高温环境下，通过对特定的工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积形成薄膜。所述等离子体化学气相沉积工艺的特点是成膜速度快、薄膜均匀性好、填动能力强。

在等离子体化学气相沉积工艺中，为了形成密闭的真空环境，用于容置待工艺处理之晶圆的容置腔室的顶部设置顶盖，并在所述顶盖与所述容置腔室之接触面处设置密封环，在泵抽单元的作用下进行抽真空。

但是，现有设置在容置腔室之顶部的顶盖，其绝缘涂层的耐温性能仅限于150℃以下，当所述顶盖内的循环水冷却系统出现故障或人为错接时，所述容置腔室内高达600℃的工艺温度势必对顶盖之绝缘涂层造成烫伤，导致不必要的安全事故和经济损失。

寻求一种结构简单、可自动控温的等离子体装置已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种自动控温等离子体装置。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统设置在容置腔室之顶部的顶盖，其绝缘涂层的耐温性能仅限于150℃以下，当所述顶盖内的循环水冷却系统出现故障或人为错接时，所述容置腔室内高达600℃的工艺温度势必对顶盖之绝缘涂层造成烫伤，导致不必要的安全事故和经济损失等缺陷提供一种自动控温等离子体装置。

为实现本发明之目的，本发明提供一种自动控温等离子体装置，所述自动控温等离子体装置，包括：容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；盖体，设置在所述容置腔室上，并在所述容置腔室与所述盖体之间设置密封环；自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测所述盖体之温度；温度控制器，接收来自所述温度侦测器之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置，执行所述温度控制器之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。

可选地，所述温度侦测器为温度传感器。

可选地，所述盖体内设置循环水冷却系统。

可选地，所述盖体之异于所述容置腔室的一侧涂覆绝缘涂层。

可选地，所述待等离子体工艺处理之晶圆的上方与所述盖体底部之间的反应区域产生感应电场，在离子轰击过程中形成高于所述绝缘涂层之承受温度的工艺温度。

可选地，所述自动绝缘涂层之承受温度为150℃。

可选地，所述温度侦测器之侦测温度高于150℃时，所述温度控制器发出指令，所述报警装置发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。

可选地，所述容置空间内之底部进一步设置基座，所述基座上设置静电夹具，所述待等离子体工艺处理之晶圆设置在所述静电夹具之异于所述基座的一侧。

综上所述，本发明所述自动控温等离子体装置通过设置侦测所述盖体之温度的自动控温装置，不仅可以通过所述温度侦测器实时进行温度侦测，在所述侦测温度大于预设安全温度时，通过所述温度控制器停止所述自动控温等离子体装置之工艺，而且可通过所述报警装置发出警示信息，便于及时停机检查。

附图说明

图1所示为本发明自动控温等离子体装置的框架结构图；

图2所示为本发明自动控温等离子体装置的立体结构图。

具体实施方式

为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

请参阅图1，图1所示为本发明自动控温等离子体装置的框架结构图。所述自动控温等离子体装置1，包括：容置腔室11，所述容置腔室11围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆(未图示)的收容空间；盖体12，所述盖体12设置在所述容置腔室11上，并在所述容置腔室11与所述盖体12之间设置密封环(未图示)；自动控温装置13，所述自动控温装置13进一步包括：温度侦测器131，所述侦测器131用于侦测所述盖体12之温度；温度控制器132，所述温度控制器132接收来自所述温度侦测器131之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置133，所述报警装置133执行所述温度控制器132之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置1之工艺。