[发明专利]区域化偏光结构及其制作方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201510374874.8 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN104880863B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 魏思凡;黄忠守 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 区域 偏光 结构 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种区域化偏光结构,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底第一侧的至少一个第一碳纳米管区块,所述第一碳纳米管区块包括多个沿第一方向延伸的碳纳米管,所述多个沿第一方向延伸的碳纳米管之间会形成多个沿同一方向延伸的沟槽,这些沟槽可以用于液晶分子的初始配向;
位于所述基底第二侧的至少一个第二碳纳米管区块,所述第二碳纳米管区块包括多个沿第二方向延伸的碳纳米管,所述多个沿第二方向延伸的碳纳米管之间会形成多个沿同一方向延伸的沟槽,这些沟槽也用于液晶分子的初始配向,所述第二侧为所述基底中与所述第一侧相对的一侧;
其中,所述第一碳纳米管区块与所述第二碳纳米管区块在所述基底上的投影不交叠,且所述第一方向和第二方向不平行。
2.根据权利要求1所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述基底为透明绝缘结构或半透明绝缘结构。
3.根据权利要求2所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述基底的材料为绝缘氧化物。
4.根据权利要求3所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述绝缘氧化物为二氧化硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述第一方向与第二方向之间的夹角为90°。
6.根据权利要求1所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述第一碳纳米管区块中相邻的碳纳米管通过范德华力相连;所述第二碳纳米管区块中相邻的碳纳米管通过范德华力相连。
7.根据权利要求1所述的区域化偏光结构,其特征在于,所述基底第一侧设置有多个第一碳纳米管区块,相邻第一碳纳米管区块对角线相连;所述基底第二侧设置有多个第二碳纳米管区块,相邻第二碳纳米管区块对角线相连。
8.根据权利要求1所述的区域化偏光结构,其特征在于,还包括:位于所述第一碳纳米管区块背离所述基底一侧的支撑板。
9.根据权利要求1所述的区域化偏光结构,其特征在于,还包括:位于所述基底与所述第一碳纳米管区块之间的第一光配向基材,以及位于所述基底与所述第二碳纳米管区块之间的第二光配向基材。
10.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:至少一个权利要求1-9任一项所述的区域化偏光结构。
11.一种区域化偏光结构的制作方法,应用于权利要求1-7任一项所述的偏光结构,其特征在于,包括:
提供一基底;
在所述基底第一侧表面形成第一碳纳米管膜;
对所述第一碳纳米管膜进行刻蚀,形成至少一个第一碳纳米管区块,所述第一碳纳米管区块包括多个沿第一方向延伸的碳纳米管,所述多个沿第一方向延伸的碳纳米管之间会形成多个沿同一方向延伸的沟槽,这些沟槽可以用于液晶分子的初始配向;
在所述基底第二侧表面形成第二碳纳米管膜,所述第二侧为所述基底中与所述第一侧相对的一侧;
对所述第二碳纳米管膜进行刻蚀,形成至少一个第二碳纳米管区块,所述第二碳纳米管区块包括多个沿第二方向延伸的碳纳米管,所述多个沿第二方向延伸的碳纳米管之间会形成多个沿同一方向延伸的沟槽,这些沟槽也用于液晶分子的初始配向;
其中,所述第一碳纳米管区块与所述第二碳纳米管区块在所述基底上的投影不交叠,且所述第一方向和第二方向不平行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510374874.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。