[发明专利]一种高阻隔薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高阻隔薄膜的制备方法,包括下述工艺步骤：

（1）将基材放置于基片台或绕于电极辊上，并对反应室抽真空至1×10^-2 Pa以下；

（2）使用Ar或O₂等离子体对基材表面进行活性处理；

（3）使用等离子体对成膜气体进行化学气相沉积，在基材上沉积高阻隔层，得到柔性透明高阻隔薄膜，

其特征在于, 柔性透明高阻隔薄膜是在有粉尘粒子产生的等离子体化学条件下利用等离子体化学气相沉积技术制备的，悬浮于等离子体中的粉尘粒子本身带有负电荷；

所述高阻隔薄膜光透过率80%以上；

所述等离子体化学气相沉积时在真空室内使用粉尘粒子清除装置，并在通入成膜气体后、开启射频电源之前，开启粉尘粒子清除装置；

所述粉尘粒子清除装置为包含至少一个捕集粉尘粒子的电极、控制捕集电极电位的电源和电路、粉尘粒子存储及将被捕集的粉尘粒子排除真空腔外的装置；

所述捕集粉尘粒子的电极的表面由绝缘材料覆盖；工作时，在捕集粉尘粒子的电极上施加相对于等离子体正的电压，所述电压略高于等离子体电势几伏；

所述气相沉积真空室调节工作气压为 50 Pa 。

2.根据权利要求1所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述基材为光透过率为85%以上的膜或片材。

3.根据权利要求2所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜气体含有硅以及碳、氧、氮中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜气体中含有硅、氧和碳三种元素。

5.根据权利要求4所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，高阻隔薄膜的高阻隔层为50 ～ 3000 nm厚的碳氧化硅薄膜。

6.根据权利要求5所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，碳氧化硅薄膜的厚度为100～2000 nm。

7.根据权利要求6所述高阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述基材为5.0 ～ 500μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)或聚酰亚胺树脂膜。