[发明专利]一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510376488.2 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105161635B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 肖标;付东;谢相伟 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子传输层 制备 发光层 自组装 电子注入层 量子点 小分子 含氟 阴极 发光二极管 空穴传输层 空穴注入层 混合溶液 表面能 传输层 注入层 成膜 生产成本 节约 | ||
1.一种具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、制备一空穴注入层于ITO基板上；
B、然后制备一空穴传输层于空穴注入层上；
C、接着制备一发光层和电子传输层于空穴传输层上，其中，所述发光层和电子传输层由低表面能的含氟小分子与量子点的混合溶液自组装而成，并且电子传输层位于发光层上；
D、随后制备一电子注入层于电子传输层上，最后制备一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。
2.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A之前包括：对ITO基板进行预处理。
3.根据权利要求2所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述ITO基板预处理是指采用氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理ITO表面。
4.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层由PEDOT：PSS形成。
5.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层由Poly-TPD和PVK溶液形成。
6.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述低表面能的含氟小分子为N，N-二(2,2,3,3,4,4,4-七氟代丁基) -1,4：5,8-萘-四羧酸二酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子注入层由分散在乙醇溶液中的ZnO纳米颗粒形成。
8.根据权利要求1所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述阴极为金属Ag。
9.根据权利要求6所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为35~45nm，所述电子传输层的厚度为3~5nm。
10.一种QLED器件，其特征在于，引用如权利要求1-9任一所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
