[发明专利]一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其包括步骤：制备一空穴注入层于ITO基板上；然后制备一空穴传输层于空穴注入层上；接着制备一发光层和电子传输层于空穴传输层上，其中，所述发光层和电子传输层由含氟小分子与量子点的混合溶液自组装而成，并且电子传输层位于发光层上；最后制备一电子注入层于电子传输层上，并制备一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明利用量子点发光二极管发光层QDs与电子传输层含氟小分子间的表面能差异，实现了只需一次成膜即可同时获得发光层和电子传输层的有益效果，简化了器件的制备流程，节约了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）作为一种新兴的高性能显示技术，近年来受到了学术界与产业界的广泛关注。与具有类似器件结构的有机/聚合物发光二极管（OLED/PLED）相比，QLED具有诸多独特的优势。首先，OLED/PLED的发光层材料主要基于有机/聚合物材料，这些材料会随着使用时间的推移发生结构的不可逆变化，影响器件的稳定性；其次，受到材料化学结构的制约，OLED/PLED的发射峰通常较宽，不利于实现高纯度的发光光谱，从而限制了其在高性能显示中的应用；再次，因为QLED所采用的量子点材料具有很小的尺寸（＜10nm），它的光电性质很容易通过量子尺寸效应进行设计和调控。

与OLED/PLED类似，在QLED中若想实现优异的电致发光，除了发光层量子点4（QDs）外，还需要在两个电极（Ag电极1和ITO电极7）和QDs4之间加入各种功能层，这些功能层主要包括电子注入层2（EIL），电子传输层3（ETL），空穴传输层5（HTL）和空穴注入层6（HIL）等。它们的作用主要是帮助载流子（电子和空穴）能够顺利高效地进入发光层然后通过辐射跃迁的方式复合发光。QLED的器件结构示意图详见图1。

从经济成本方面进行考虑，溶液加工法是QLED发展的必然方向。一般来讲，为了制备一个完整的QLED器件，各功能层和发光层需要按特定的顺序逐层进行沉积。但是在溶液法制备的过程中，沉积上层材料的同时必须保证下层已沉积的薄膜不被上层材料的溶剂清洗掉。这就对相邻层材料的溶剂提出了严格的要求，即相邻层材料所使用的溶剂必须具备正交性。但是，同时兼顾特定光电功能与溶剂正交性的材料是很少的。另一方面，在QLED器件中，增加一种功能层虽然可以使器件的性能在一定程度上得到提升，但是会增加器件制备的繁琐程度和制备成本，不利于QLED的大规模产业化发展。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法，旨在解决现有制备方法溶剂需具备正交性、制备繁琐及制备成本高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：

A、制备一空穴注入层于ITO基板上；

B、然后制备一空穴传输层于空穴注入层上；

C、接着制备一发光层和电子传输层于空穴传输层上，其中，所述发光层和电子传输层由含氟小分子与量子点的混合溶液自组装而成，并且电子传输层位于发光层上；

D、最后制备一电子注入层于电子传输层上，并制备一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。

所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其中，所述步骤A之前包括：对ITO基板进行预处理。

所述的具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其中，所述ITO基板预处理是指采用氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理ITO表面。