[发明专利]一种晶圆级扇出封装的制作方法

权利要求书

1.一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是该封装方法包括以下步骤：

a、在基板（6）的上表面将芯片（1）通过含有与芯片（1）同等面积的粘结剂（7）固定在设定位置，芯片（1）的输入输出端朝上；

b、在基板（6）的上表面形成塑封材料层（2），塑封材料层（2）将芯片（1）封装，芯片（1）的输入输出端露出；

c、在塑封材料层（2）的上表面涂上介电材料，形成介电层（4）；

d、去除对应芯片（1）的输入输出端位置上方的介电层（4），再在去除部位形成引出线（3）和焊球（8），引出线（3）的一端与芯片（1）的输入输出端相连；

e、沿着基板（6）的下表面进行减薄，将基板（6）、粘结剂（7）以及部分的塑封材料层（2）和芯片（1）的下表面去除，最终磨削面停留在芯片（1）的设定位置形成封装半成品；

f、在封装半成品上沿着相邻两个芯片（1）之间的切割线将封装半成品切割成单个封装结构。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述基板（6）的材质为硅、陶瓷、蓝宝石或者玻璃材料，且基板（6）的厚度为100um-1mm。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述粘结剂（7）的材质为环氧树脂或者二氧化硅材料为主的液状或者膜状物质，且粘结剂（7）的厚度为5um-50um。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述塑封材料层（2）的材质是由环氧树脂为主体的树脂，且塑封材料层（2）的厚度与芯片上表面齐平。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述塑封材料层（2）通过常规的填充工艺、喷涂工艺、压膜工艺或者印刷工艺完成。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述介电层（4）的材质为二氧化硅、酚树脂或者聚酰亚胺，且介电层（4）的厚度为1um-20um。

7.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述引出线（3）通过常规的电镀、印刷或者沉积工艺形成。

8.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：步骤c中，在介电层（4）的上表面覆盖一层保护层（5）。

9.根据权利要求8所述的一种晶圆级扇出封装的制作方法，其特征是：所述保护层（5）的材质为二氧化硅、氮化硅、酚树脂或者聚酰亚胺，保护层（5）的厚度为2um-20um。