[发明专利]逐次逼近型模数转换器的全差分增量采样方法有效
申请号: | 201510378978.6 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105007079B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 耿莉;宋焱;薛仲明;范世全;张珏颖;谢毅 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H03M1/38 | 分类号: | H03M1/38 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逐次 逼近 型模数 转换器 全差分 增量 采样 方法 | ||
1.逐次逼近型模数转换器的全差分增量采样方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)当采样控制信号SAMPLE信号为“1”时,进入采样阶段,此时采样开关闭合,电容阵列上极板跟随输入信号变化;电容阵列下极板从高位到低位根据前次量化结果D[9:1]分别接到VDD或者GND;当D[0]为1时,P型电容阵列中的C0接到VCM,N型电容阵列中的C0接到GND;当D[0]为0时,P型电容阵列中的C0接到GND,N型电容阵列中的C0接到VCM;在采样结束时,电容阵列上极板电荷量表达式为:
其中CT为单端电容阵列的和;
2)采样结束后,进入保持状态,采样开关断开,电容开关控制电容阵列下极板全部接到VCM,此时电容阵列上极板的电荷量表达式为:
Qp=(Vp-VCM)·CT(5)
Qn=(Vn-VCM)·CT(6)
令(3)(5)和(4)(6)式分别相等,得到在采样结束时电容阵列上极板电压表达式:
由(7)(8)式相减得到差分采样得到的差值信号为:
Vp-Vn=(VIP-VIN)-(V′IP-V′IN)(9)
其中,VIP-VIN为本次差分采样电压值,V′IP-V′IN为前次差分采样量化结果值;
3)保持相位结束后判断差分采样增量电压值的符号和大小:
如果增量电压为正,电容开关将P端C5电容的下级板接到GND,N端C5电容的下级板接到VDD,此时电容阵列上极板电压差值为:
所述全差分增量采样方法采用全查分采样,采样信号满幅度为2VDD,量化精度为10bit,因此一个量化台阶LSB为VDD/512;如果比较器的比较结果为“1”,表示正的增量电压值大于1/32VDD,即16LSB,超出了低4位的编码范围,下一步从最高位C9电容开始转换:将C5电容的下级板接回VCM,P端的C9电容的下级板接到GND,N端的C9电容的下级板接到VDD,比较器判断正的增量电压值是否大于1/2VDD,如果大于1/2VDD则P端的C8下极板从VCM接到GND且N端的C8下极板从VCM接到VDD,判断增量电压值是否大于3/4VDD,反之如果小于1/2VDD则P端的C8下极板从VCM接到VDD且N端的C8下极板从VCM接到GND,判断增量电压值是否大于1/4VDD,后续转换原理同上直到所有位数转换完成;如果比较结果为“0”,表示正的增量电压小于1/32VDD,直接进行下一步C4电容的转换:将P端的C4电容的下级板接到VDD,N端的C4电容的下级板接到GND,判断正的增量电压是否大于1/64VDD,如果大于1/64VDD则P端的C3下极板从VCM接到GND且N端的C3下极板从VCM接到VDD,判断增量电压是否大于3/128VDD,反之如果小于1/64VDD则P端的C3下极板接到VDD且N端的C3下极板接到GND,判断增量电压是否大于1/128VDD,后续转换原理同上直到所有位数转换完成;
如果增量电压为负值,将P端C5电容的下级板接到VDD,N端C5电容的下级板接到GND;如果比较结果为“0”,表示负的增量电压值大于1/32VDD,下一步需要从C9电容开始转换,如果比较结果为“1”,表示负的增量电压值小于1/32VDD,屏蔽高4位的转换,下一步从C4电容进行转换,直到转换结束;
4)步骤3)中正的增量电压的转换编码值通过10位加法器加到前次转换的量化编码值上,得到本次差分量VIP-VIN的量化编码值;步骤3)中负的增量电压的转换编码值通过10位加法器从前次转换的量化编码值中减去,得到本次差分量VIP-VIN的量化编码值;
5)待所有的转换步骤完成,本次转换结束,逐次逼近型模数转换器进入到待机状态,等待下一个SAMPLE信号高电平的到来,进行下一次的采样转换;
电容阵列的P型电容阵列和N型电容阵列完全相同,均包括10个电容C0-C9;每部分电容阵列电容大小按照2的指数次幂排列,即
Ci=2i-1C0 1≤i≤9(2)
其中Ci代表第i个电容的大小,C0代表单位电容;电容阵列最末尾的电容C0作为权重电容,不参与转换;
P型电容阵列的所有电容的上极板连接比较器的正输入端;N型电容阵列的所有电容的上极板连接比较器的负输入端;外部输入信号VIP通过第一采样开关连接比较器的正输入端;外部输入信号VIN通过第二采样开关连接比较器的负输入端;
P型电容阵列和N型电容阵列中每个电容的下级板由电容开关Spi和Sni控制其连接到参考电平VDD、共模信号VCM或GND,其中VCM=0.5VDD;
Vp为比较器的正输入端电压,Vn为比较器的负输入端电压。
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