[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器及制备方法

权利要求书

1.一种硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器，其特征在于该环形振荡器由三个CMOS倒相器构成的，它们首尾相接构成环状，整个环形振荡器是基于P型Si衬底(1)制作的，三个CMOS倒相器通过引线(10)实现互连，每个CMOS倒相器又是由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管组成，该NMOS管和PMOS管的栅极是悬浮在栅氧化层(11)上的，形成悬臂梁栅(3)，该悬臂梁栅(3)由Al制作，而栅极的多晶硅锚区(2)淀积在P型Si衬底(1)上，在悬臂梁栅(3)下方有一个下拉电极(12)，其中NMOS悬臂梁栅下方的下拉电极是接地的，而POMS悬臂梁栅下方的下拉电极是接电源的，下拉电极(12)上方覆盖有氮化硅介质层(13)。

2.一种如权利要求1所述的硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器的制备方法，其特征在于本发明的硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器的制备方法如下：

1.准备P型Si衬底；

2.进行P型Si衬底的初始氧化，形成一层SiO₂层；

3.进行光刻，刻出N阱注入孔的图形，用于制作PMOS管；

4.对N阱进行掺杂注入，形成N阱；

5.去除表面氧化层，提供平整的硅表面；

6.底氧生长；

7.涂覆光刻胶，去除下拉电极处的光刻胶；

8.淀积一层多晶硅，其厚度为0.3μm；

9.去除剩余光刻胶以及光刻胶上的多晶硅，形成下拉电极；

10.沉积氮化硅并光刻氮化硅，保留下拉电极上的氮化硅和有源区的氮化硅；

11.进行场氧化；

12.去除底氧层和有源区的氮化硅；

13.进行栅氧化，并对有源区进行氧化，生长一层氧化层；

14.涂覆光刻胶，去除悬臂梁的锚区位置的光刻胶；

15.淀积一层多晶硅，其厚度为0.3μm；

16.去除剩余光刻胶以及光刻胶上的多晶硅，形成多晶硅锚区；

17.淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层：在Si衬底上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，要求填满凹坑；光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留悬臂梁下方的牺牲层；

18.蒸发淀积Al，形成悬臂梁图形；

19.涂覆光刻胶，保留悬臂梁栅上方的光刻胶；

20.反刻Al，形成悬臂梁栅极；

21.涂覆光刻胶，光刻出硼的注入孔，注入硼，形成PMOS管有源区；

22.涂覆光刻胶，光刻出磷的注入孔，注入磷，形成NMOS管有源区；

23.光刻并刻蚀接触孔、引线、电源线和地线；

24.释放聚酰亚胺牺牲层，形成悬浮的悬臂梁栅。