[发明专利]结型栅场效应晶体管(JFET)、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种结型栅场效应晶体管(JFET)，包括：

衬底；

源极区，形成在所述衬底中；

漏极区，形成在所述衬底中；

沟道区，形成在所述衬底中，所述沟道区将所述源极区与所述漏极区连接；

至少一个栅极区，形成在所述衬底中，所述至少一个栅极区在界面处接触所述源极区和所述漏极区中的一个，所述至少一个栅极区与所述源极区和所述漏极区中的另一个隔离，所述至少一个栅极区配置为使所述源极区和所述漏极区中的所述一个中出现耗尽区；以及

介电层，覆盖所述界面，同时暴露所述源极区和所述漏极区中的所述一个的部分以及所述栅极区的部分；

隔离区，位于所述介电层下面，所述隔离区布置在所述源极区和所述漏极区中的所述一个与所述栅极区之间。

2.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，响应于施加给所述至少一个栅极区的反向偏压，所述至少一个栅极区配置为：使耗尽区从所述界面延伸进所述源极区和所述漏极区中的所述一个中。

3.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，所述衬底包括绝缘体上半导体(SOI)衬底。

4.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，所述介电层的宽度在0.5μm至5μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，所述介电层包括抗蚀保护氧化物(RPO)层。

6.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，自上而下观看所述衬底时，所述介电层围绕所述源极区和所述漏极区中的所述一个延伸。

7.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中，自上而下观看所述衬底时，所述栅极区围绕所述源极区和所述漏极区中的所述一个以及所述介电层延伸。

8.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，其中：

所述至少一个栅极区包括第一栅极区和第二栅极区；以及

所述源极区和所述漏极区中的所述一个以及所述介电层夹置在所述第一栅极区与所述第二栅极区之间。

9.根据权利要求1所述的结型栅场效应晶体管，还包括：

接触层，位于所述源极区和所述漏极区中的所述一个的暴露部分以及所述栅极区的暴露部分上方，

其中，所述介电层布置在所述接触层之间，并且所述介电层与所述接触层至少部分地等高。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

至少一个晶体管，形成在所述衬底中，所述至少一个晶体管包括：

源极区和漏极区，形成在所述衬底中；

第一栅极区和第二栅极区，形成在所述衬底中，所述第一栅极区和所述第二栅极区与所述源极区和所述漏极区至少部分地等高，所述源极区和所述漏极区中的一个设置在所述第一栅极区和所述第二栅极区之间，所述第一栅极区和所述第二栅极区配置为使所述源极区和所述漏极区中的所述一个中出现耗尽区；和

沟道区，形成在所述衬底中，并且所述沟道区将所述源极区与所述漏极区连接；以及

隔离区，介于：(i)所述源极区和所述漏极区中的所述一个的上部与所述第一栅极区的上部之间；(ii)所述源极区和所述漏极区中的所述一个的上部与所述第二栅极区的上部之间；

介电层，位于所述隔离区上方，其中，自上而下观看所述衬底时，所述介电层比所述隔离区窄。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一栅极区和所述第二栅极区还包括位于所述隔离区下面的下部，所述下部接触所述沟道区。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，响应于施加给所述第一栅极区和所述第二栅极区的反向偏压，将所述第一栅极区的下部和所述第二栅极区的下部配置为：使对应的第一耗尽区和第二耗尽区在横穿所述衬底的厚度方向的方向上相向延伸。