[发明专利]显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和公共电极层，所述像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极；

所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场；

所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场；

所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极层包括多个公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极相对设置；

所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场；

所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素电极层位于所述公共电极层的上方，所述第一像素电极位于相对设置的公共电极的正上方，所述第二像素电极位于相对设置的公共电极的正上方。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极的宽度大于所述第一像素电极的宽度，所述公共电极的宽度大于所述第二像素电极的宽度。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述第一像素电极的宽度的差值包括2μm至6μm，所述公共电极的宽度与所述第二像素电极的宽度的差值包括2μm至6μm。

6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为有机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1μm至4μm，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括4μm至10μm，相邻的所述公共电极之间的距离包括2μm至8μm，所述钝化层的厚度包括至

7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为无机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1μm至4μm，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括6μm至14μm，相邻的所述公共电极之间的距离包括4μm至10μm，所述钝化层的厚度包括至4μm。

8.根据权利要求6或7所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离大于或等于8μm且小于或等于10μm。

9.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电极上加载第一驱动信号，所述第二像素电极上加载第二驱动信号，所述公共电极上加载第三驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号不同，所述第三驱动信号和所述第一驱动信号的差值为所述第三驱动信号和所述第二驱动信号的差值的负值。

10.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极均为条状结构；

所述公共电极为条状结构或者板状结构。

11.一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的对置基板和显示基板，所述对置基板和所述显示基板之间设置有液晶，所述显示基板包括权利要求1至10任一所述的显示基板。

12.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层，所述绝缘层位于所述像素电极层和公共电极层之间，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场，所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场，所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。

13.根据权利要求12所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层包括：

在所述衬底基板的上方形成公共电极层；

在所述衬底基板的上方形成绝缘层，所述绝缘层位于所述公共电极层上方；

在所述衬底基板的上方形成像素电极层，所述像素电极层位于所述绝缘层上方。