[发明专利]显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，市场对显示装置的画面品质也提出了更高的要求。而边缘场开关(Fringe Field Switching，简称：FFS)模式和平面转换(In-Plane Switching，简称：IPS)模式因自身所具备的高亮度、真彩色、超宽视角等优点，成为了近些年来各大液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称：LCD)厂商竞相追逐的先进显示技术。上述两种显示模式共同的特点是均通过水平电场控制液晶的旋转，从而实现对透射光的控制。

对于FFS模式的显示装置，通常在电压开启的状态(on state)下像素电极边缘的水平电场最强，从像素电极边缘到两个像素电极之间的水平电场呈下降趋势，因此在同一驱动电压的情况下，像素电极边缘的光透过率最大,两个像素电极之间的位置光透过率较小且最中间的位置呈现出极小值。FFS模式的显示装置对像素电极边缘的光透射控制的较好。

对于IPS模式的显示装置，通常在电压开启的状态(on state)下像素电极和公共电极之间的水平电场最强像素电极边缘和公共电极边缘的水平电场较弱，而像素电极边缘和公共电极边缘垂直电场较强。因此，在上述电场的排布下，像素电极和公共电极之间的光透过率相对较高，而像素电极边缘和公共电极边缘的光透过率则相对较低。IPS模式的显示装置对像素电极和公共电极之间的光透射控制的较好。

综上所述，FFS模式的显示装置中两个像素电极之间的位置光透过率较小，而IPS模式的显示装置中像素电极边缘和公共电极边缘的光透过率较低。因此，现有技术中的显示装置的光透过率降低。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置，用于提高显示装置的光透过率。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和公共电极层，所述像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极；

所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场；

所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场；

所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。

可选地，所述公共电极层包括多个公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极相对设置；

所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场；

所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。

可选地，所述像素电极层位于所述公共电极层的上方，所述第一像素电极位于相对设置的公共电极的正上方，所述第二像素电极位于相对设置的公共电极的正上方。

可选地，所述公共电极的宽度大于所述第一像素电极的宽度，所述公共电极的宽度大于所述第二像素电极的宽度。

可选地，所述公共电极的宽度与所述第一像素电极的宽度的差值包括2μm至6μm，所述公共电极的宽度与所述第二像素电极的宽度的差值包括2μm至6μm。

可选地，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为有机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1μm至4μm，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括4μm至10μm，相邻的所述公共电极之间的距离包括2μm至8μm，所述钝化层的厚度包括至

可选地，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为无机膜时，所述第一像素电极的宽度包括1μm至4μm，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括6μm至14μm，相邻的所述公共电极之间的距离包括4μm至10μm，所述钝化层的厚度包括至4μm。

可选地，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离大于或等于8μm且小于或等于10μm。

可选地，所述第一像素电极上加载第一驱动信号，所述第二像素电极上加载第二驱动信号，所述公共电极上加载第三驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号不同，所述第三驱动信号和所述第一驱动信号的差值为所述第三驱动信号和所述第二驱动信号的差值的负值。

可选地，所述第一像素电极和第二像素电极均为条状结构；

所述公共电极为条状结构或者板状结构。