[发明专利]存储设备及其读取方法有效
申请号: | 201510388394.7 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN105321572B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 金润;庆桂显;金经纶;尹翔镛 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 设备 及其 读取 方法 | ||
1.一种存储设备执行的读取方法,所述存储设备包括至少一个非易失性存储器件,该非易失性存储器件具有:由沿垂直于衬底的方向穿透位线与公共源极线之间堆叠的字线的柱形成的多个串以及控制该至少一个非易失性存储器件的存储器控制器,所述读取方法包括:
使用由时间戳表格存储的时间以及时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息对至少一个非易失性存储器件存储的数据执行第一读操作,在时间戳表格中存储的时间处数据被编程到至少一个非易失性存储器件中,其中是因为当将数据编程到至少一个非易失性存储器件时起的时间流逝而使得读取电平偏移存在;
基于第一读操作的结果确定是否调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息;
作为确定需要调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息的结果,使用通过谷搜索操作获得的信息调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息;以及
基于时间戳表格存储的时间和调整的时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息来对至少一个非易失性存储器件存储的数据执行第二读操作,其中,通过谷搜索操作获得的信息识别减少从至少一个非易失性存储器件读取的数据页面内的错误数量的读取电平。
2.如权利要求1所示的读取方法,其中所述时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息在第一读操作期间读取的数据的错误不可纠正时被调整。
3.如权利要求1所示的读取方法,其中借助于存储设备的温度、所述至少一个非易失性存储器件的温度、存储器控制器的温度、将读取的存储单元的地址或者将读取的存储单元的退化程度来建立用于第一读操作和第二读操作中的每一个的读取电压。
4.如权利要求1所示的读取方法,其中所述时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息随温度、擦除计数、编程计数、读取计数或者地址而变化。
5.如权利要求1所示的读取方法,其中所述谷搜索操作相对于与将读取的存储单元相关联的至少一个页面被执行。
6.如权利要求5所示的读取方法,其中借助于作为预先运行的谷搜索操作的结果获得的读取电平以及作为谷搜索操作识别的读取电平的滑动平均来调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息。
7.如权利要求1所述的读取方法,还包括:
周期性地或非周期性地更新在所述至少一个非易失性存储器件中存储的时间-读取电平查找表。
8.如权利要求1所述的读取方法,还包括:
根据读取电平偏移调整从当将数据编程到至少一个非易失性存储器时起已经逝去的估计的时间。
9.一种包括至少一个非易失性存储器件以及控制该至少一个非易失性存储器件的存储器控制器的存储设备执行的读取方法,该非易失性存储器件具有由沿垂直于衬底的方向穿透位线与公共源极线之间堆叠的字线的柱形成的多个串,所述读取方法包括:
响应于基于环境信息被发出的内部请求或外部请求确定是否调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息,其中所述确定是基于当将数据编程到至少一个非易失性存储器件时起已经流逝的时间量的;
作为确定需要调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息的结果,使用通过谷搜索操作获得的信息调整时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息;
基于调整的时间-读取电平查找表存储的读取电平偏移信息和时间戳表格中存储的时间对至少一个非易失性存储器件存储的数据执行读操作,在时间戳表格中存储的时间处数据被编程到至少一个非易失性存储器件中;以及
实施用于校正读取操作读取的数据的错误的错误校正操作,其中
通过谷搜索操作获得的信息识别减少从至少一个非易失性存储器件读取的数据页面内的错误数量的读取电平。
10.如权利要求9所述的读取方法,其中所述外部请求是可靠性读请求或高速读请求。
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