[发明专利]存储设备及其读取方法

说明书

提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间‑读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间‑读取电平查找表；由于确定需要调整时间‑读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间‑读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间‑读取电平查找表执行第二读操作。

相关申请的交叉引用

此专利申请要求于2014年7月4日提交的韩国专利申请第10-2014-0083854号的优先权，其主题通过引用合并于此。

技术领域

本文描述的本发明构思涉及一种存储设备及其操作和读取方法。

背景技术

半导体存储器件可以分类为易失性半导体存储器件和非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件可以甚至在处于断电时也保持存储在其中的数据，而取决于使用的制造技术，存储在非易失性半导体存储器件中的数据可以是永久的或可重编程的。非易失性半导体存储器件可以在计算机、航空电子设备、无线电通讯以及消费电子行业中的各式各样的应用中被用于用户数据存储以及程序与微码存储。

发明内容

本发明构思的实施例的一方面旨在提供一种包括至少一个非易失性存储器件以及用于控制所述至少一个非易失性存储器件的存储器控制器的存储设备的读取方法，该非易失性存储器件包括由沿垂直于衬底的方向穿透位线和公共源极线之间堆叠的字线的柱形成的多个串，所述读取方法包括：基于存储编程时间的时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间-读取电平查找表来执行第一读操作；基于第一读操作的结果确定是否调整时间-读取电平查找表；作为确定需要调整时间-读取电平查找表的结果，通过谷搜索(valley search)操作调整时间-读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间-读取电平查找表来执行第二读操作。

在示例性实施例中，当在第一读操作期间读取的数据的错误不可纠正时调整所述时间-读取电平查找表。

在示例性实施例中，借助于存储设备的温度、至少一个非易失性存储器件的温度、存储器控制器的温度、与将读取的存储单元相关联的地址、以及与将读取的存储单元相关联的退化程度中的至少一个来设置用于第一读操作和第二读操作中的每一个的读取电压。

在示例性实施例中，时间-读取电平查找表的读取电平偏移随温度、擦除计数、编程计数、读取计数和地址中的至少一个而变。

在示例性实施例中，所述谷搜索操作相对于与将读取的存储单元相关联的至少一个页面来执行。

在示例性实施例中，时间-读取电平查找表的读取电平偏移借助于作为预先运行的谷搜索操作的结果获得的读取电平以及作为谷搜索操作的结果获得的读取电平的滑动平均来调整。

在示例性实施例中，所述读取方法还包括周期性地或非周期性地更新所述至少一个非易失性存储器件中的调整过的时间-读取电平查找表。

在示例性实施例中，所述调整包括调整相应于读取电平偏移的编程经过时间。

本发明构思的实施例的另一方面旨在提供一种包括至少一个非易失性存储器件以及用于控制所述至少一个非易失性存储器件的存储器控制器的存储设备的读取方法，该非易失性存储器件包括由沿垂直于衬底的方向穿透在位线和公共源极线之间堆叠的字线的柱形成的多个串，所述读取方法包括：响应于内部请求或外部请求确定是否利用编程经过时间调整指示读取电平偏移的时间-读取电平查找表，所述内部请求基于环境信息而发出；作为确定需要调整时间-读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间-读取电平查找表；基于调整的时间-读取电平查找表和存储编程时间的时间戳表格执行读操作；以及实施错误校正操作以校正读取数据的错误。

在示例性实施例中，所述外部请求是可靠性读请求或高速读请求。