[发明专利]具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件隔离膜，限定有源区；

主栅极，具有掩埋在所述有源区中的第一栅电极和第二栅电极；以及

旁路栅极，具有掩埋在相邻的储存节点结区之间的所述器件隔离膜中的单个栅电极，

其中，所述第一栅电极安置于所述第二栅电极之下，以及

其中，所述第一栅电极具有第一功函数，所述第二栅电极具有与所述第一功函数不同的第二功函数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二功函数比所述第一功函数低。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极置于比所述有源区的结区低的水平。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极与所述有源区的结区形成在基本相同的水平。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述旁路栅极和所述主栅极都置于同一线型栅极沟槽中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述旁路栅极置于所述储存节点结区之下。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极包括注入到所述第一栅电极的传导材料中的氮、氧、砷、铝和氢离子中的一种或更多种。

8.一种半导体器件，包括：

器件隔离膜，限定有源区；

第一栅电极，掩埋在所述有源区和所述器件隔离膜中；以及

第二栅电极，位于所述第一栅电极的掩埋在所述有源区中的部分之上，且未置于所述第一栅电极的掩埋在相邻的储存节点结区之间的器件隔离膜中的部分之上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极形成在比所述相邻的有源区的所述储存节点结区低的水平。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极与所述有源区的所述储存节点结区形成在基本相同的水平。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有不同的功函数，所述第一栅电极安置于所述第二栅电极之下。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极具有比所述第一栅电极低的功函数。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极包括注入到所述第一栅电极的传导材料中的氮、氧、砷、铝和氢离子中的一种或更多种。

14.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成限定有源区的器件隔离膜；

通过刻蚀所述有源区和所述器件隔离膜来形成栅极沟槽；

在所述栅极沟槽中形成第一栅电极；

在所述第一栅电极之上形成第二栅电极；

选择性地刻蚀所述第二栅电极的在旁路栅极区中的部分，所述旁路栅极区位于相邻的储存节点结区之间；以及

在所述第二栅电极和所述第一栅电极之上形成覆盖膜，以覆盖所述第一栅电极的通过选择性刻蚀暴露的部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过将氮、氧、砷、铝和氢离子中的一种或更多种注入到所述第一栅电极的上部中来形成所述第二栅电极。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一栅电极置于所述储存节点结区之下，所述第二栅电极与所述储存节点结区设置在相同的水平。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一栅电极的功函数比所述第二栅电极的功函数高。