[发明专利]集成超声换能器的AFM探针阵列有效
| 申请号： | 201510388664.4 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN104965105B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何欢;张金英;杨晋玲;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/38 | 分类号： | G01Q60/38;G01N29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 超声 换能器 afm 探针 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成超声换能器的AFM探针阵列，包括：
一基座，该基座为矩形；
多个微悬臂梁，其分别与基座的一侧边连接，每一微悬臂梁上制作有针尖；
多个超声换能器，其分别制作在多个微悬臂梁的背面及基座的背面；
其中多个微悬臂梁和多个超声换能器组成探针阵列；
其中探针阵列是采用MEMS微加工工艺在硅片上制作，探针阵列的形状为梳齿型或者圆环型；
其中探针阵列的形状为圆环型时，最内侧的圆环为封闭圆环，其他每个圆环型均开有一开口，该开口位于基座的正前方，该圆环型的一半位于基座的背面。
2.根据权利要求1所述的集成超声换能器的AFM探针阵列，其中探针阵列上的针尖按照扫描阵列点的规律排列。
3.根据权利要求1所述的集成超声换能器的AFM探针阵列，其中超声换能器包括一上电极，及依次连接的一压电薄膜和一下电极，上、下电极的材料为金、铂金、铝或铜，压电薄膜的材料为AlN、PZT、LiNbO3或ZnO。
4.根据权利要求1所述的集成超声换能器的AFM探针阵列，其中基座的厚度为300-500um。
5.根据权利要求1所述的集成超声换能器的AFM探针阵列，其中微悬臂梁的厚度为1-10um，宽度为30-50um。
6.根据权利要求1所述的集成超声换能器的AFM探针阵列，其中超声换能器的厚度为3-300um。
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