[发明专利]集成超声换能器的AFM探针阵列有效
申请号: | 201510388664.4 | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN104965105B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 何欢;张金英;杨晋玲;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01Q60/38 | 分类号: | G01Q60/38;G01N29/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 超声 换能器 afm 探针 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及原子力显微镜以及超声检测领域,尤其涉及一种集成超声换能器的AFM探针阵列。
背景技术
1986年,G.Binnig和C.F.Quate研制成功原子力显微镜(Atom Force Microscope,AFM),AFM利用原子间相互作用力来检测样品表面形貌,能够实现对导体、半导体以及绝缘体材料表面原子级的观察。但是传统的AFM技术无法探测样品内部的结构信息,只能进行表面成像分析,因此检测样品内部结构信息时需要寻求其他手段。另外,AFM成像速度也十分重要,单个AFM探针扫描使得成像速度受到限制。
超声成像技术利用超声波信号在不同介质里传播时发生反射,通过对反射信号进行接收、处理,从而检测样品内部形貌,是重要的样品内部成像手段。在超声成像技术中,实现超声波的发射与接收的装置是超声换能器,通常由压电材料制作,能够产生和接收超声波信号。
针对AFM不能对内部成像以及单个探针扫描速度慢的问题,本发明提出一种集成超声换能器的AFM探针阵列。与单个AFM探针相比,阵列型探针结构能够实现样品的快速扫描成像,同时超声换能器能够实现对样品内部结构的检测。应用此探针阵列,结合相应外围电路,可实现原子力成像或超声成像的单独检测,也可以两者同时进行成像检测。
发明内容
本发明的目的在于提出一种集成超声换能器的AFM探针阵列结构,在探针上集成超声换能器解决了样品的内部成像问题,且阵列式的探针结构提高了成像速度。
为了实现上述目的,本发明提供一种集成超声换能器的AFM探针阵列,包括:
一基座,该基座为矩形;
多个微悬臂梁,其分别与基座的一侧边连接,每一微悬臂梁上制作有针尖;
多个超声换能器,其分别制作在多个微悬臂梁的背面及或基座的背面;
其中多个微悬臂梁和多个超声换能器组成探针阵列。
从上述技术方案可以看出,本发明的有益效果是:
1、本发明提出在AFM探针上集成超声换能器,运用超声检测原理,能够实现对样品内部的成像分析。
2、本发明提出阵列式的AFM探针结构,扩大扫描范围,解决单个探针扫描成像速度慢的问题。
3、本发明提出的梳齿型或圆环型阵列式结构,除了加快扫描成像速度外,在超声检测方面能够提高超声成像的分辨率。
附图说明
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明,其中:
图1为本发明第一实施例集成超声换能器的梳齿型AFM探针阵列;
图2为本发明第二实施例集成超声换能器的圆环型AFM探针阵列;
图3为图2圆环型AFM探针的针尖阵列分布示意图,显示开口及针尖的位置;
图4为超声换能器的侧视结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1、图2、图3及图4所示,本发明提供一种集成超声换能器的AFM探针阵列,包括:
一基座10,该基座10为矩形,所述基座10的厚度为300-500um;
多个微悬臂梁20,其分别与基座10的一侧边连接,每一微悬臂梁20、20’上制作有针尖21、21’所述微悬臂梁20、20’的厚度为1-10um,宽度为30-50um;
多个超声换能器30、30’,其分别制作在多个微悬臂梁20、20’的背面及或基座10的背面,所述超声换能器30、30’包括一上电极31,及依次连接的一压电薄膜32和一下电极33,上、下电极31、33的材料为金、铂金、铝或铜,压电薄膜32的材料为AlN、PZT、LiNbO3或ZnO,所述超声换能器30、30’的厚度为3-300um;
其中多个微悬臂梁20、20’和多个超声换能器30、30’组成探针阵列,所述探针阵列是采用MEMS微加工工艺在硅片上制作,探针阵列的形状为梳齿型或者圆环型,所述探针阵列的形状为圆环型时,最内侧的圆环为封闭圆环,其他每个圆环型均开有一开口22,该开口22位于基座10的正前方,该圆环型的一半位于基座10的背面,所述探针阵列上的针尖21、21’按照扫描阵列点的规律排列。
在梳齿型探针阵列中,微悬臂梁20长100-300um,阵列间距30-50um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510388664.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能检测适配器性能的方法和终端
- 下一篇:一种基于声参量阵的风速测量方法