[发明专利]一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件

权利要求书

1.一种空穴注入层的制作方法，其特征在于，包括步骤：

A、对ITO衬底基板进行清洗，然后干燥；

B、将ITO衬底基板进行表面处理；

C、将过渡族金属氧化物附着于ITO衬底基板的表面，作为QLED器件的空穴注入层，过渡族金属氧化物通过溶胶-凝胶法附着于ITO衬底基板的表面。

2.根据权利要求1所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，过渡族金属氧化物为氧化钒、氧化钼和氧化钨中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，过渡族金属氧化物通过溶胶-凝胶法附着于ITO衬底基板的表面的过程包括：

S1、在液相下将过渡族金属氧化物的前驱体溶解；

S2、将溶解液旋涂在ITO衬底基板上；

S3、将ITO衬底基板至于加热台上进行热处理。

4.根据权利要求3所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，氧化钒的前驱体为异丙醇氧钒或偏钒酸钠，氧化钼的前驱体为乙酰丙酮钼或乙醇钼，氧化钨的前驱体为乙醇钨或异丙醇钨。

5.根据权利要求3所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，旋涂速度为3000转/分钟，旋涂时间为30s。

6.根据权利要求1所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为5~20nm。

7.根据权利要求3所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

将前驱体材料溶解在甲醇溶液中，并在常温下搅拌12小时以上。

8.根据权利要求3所述的空穴注入层的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，热处理条件为：温度为110~150℃，时间5~10min。

9.一种空穴注入层，其特征在于，采用如权利要求1~8任意一项所述的方法制成，其中，过渡族金属氧化物为氧化钒、氧化钼和氧化钨中的两种或三种。

10.一种QLED器件，其特征在于，空穴注入层采用如权利要求9所述的空穴注入层。