[发明专利]一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件

说明书

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件。

背景技术

目前，市场上主流的平板显示是通过液晶分子来实现的，在液晶显示器（LCD）中，由于液晶分子本身不能发光，需要背光光源的参与来实现高质量的显示。但随着背光源的引入，LCD的能耗问题就变得较为突出，从节能减排的角度考虑，LCD并不是一种十分理想的显示技术。随着科技的发展，有机发光二极管（OLED）作为一种新型显示技术逐渐走入了人们的视线，相比于LCD，OLED器件是主动发光器件，无需额外使用背光源，因此它在能耗方面有着先天的优势。但也需要看到，OLED器件中使用的发光材料通常具有非常宽的发射峰，这会导致其发光纯度不够理想，限制OLED在高端显示方面的应用。

用量子点制备的显示器件（QLED）是一种能够主动发光的器件，且其发射光谱具有非常窄的半高宽，色纯度非常高，在平板显示、固态照明等方面有着巨大的应用前景，因此，近年来QLED成为了学术界与工业界广泛关注的焦点。

一般来说，为了提高发光效率，在QLED器件中起到电荷注入作用的电极功函数必须能够高效的注入电荷，从能级匹配的角度来看，若要实现电荷的高效注入，电极的费米能级与电荷传输层材料或者发光层材料之间的能级差非常小，以尽可能降低载流子的注入势垒。QLED的器件结构示意图与相应的能级图分别见附图1和附图2。

在传统结构的QLED器件中，为了使空穴能顺利从ITO一侧注入发光层，通常需要在ITO和发光层中插入一层PEDOT:PSS作为空穴注入材料。但是PEDOT:PSS这种材料具有极高的酸性（PH≈2-3），容易腐蚀ITO，加上其具有很强的吸水性，用PEDOT:PSS制备的QLED器件稳定性并不理想。另一方面，由于PEDOT:PSS的功函数大致在5.2eV左右，而一般的红、绿、蓝三色发光量子点的价带都比5.2eV要深且在数值上并不相同，使用同一种功函数较低的空穴注入/传输层并不能同时保证红、绿、蓝器件都能形成良好的欧姆接触，这就会造成器件中空穴难以高效率地注入，最终导致器件效率下降。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件，旨在解决现有QLED器件稳定性不高、效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种空穴注入层的制作方法，其中，包括步骤：

A、对ITO衬底基板进行清洗，然后干燥；

B、将ITO衬底基板进行表面处理；

C、将过渡族金属氧化物附着于ITO衬底基板的表面，作为QLED器件的空穴注入层，过渡族金属氧化物通过溶胶-凝胶法附着于ITO衬底基板的表面。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，过渡族金属氧化物为氧化钒、氧化钼和氧化钨中的一种或多种。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，过渡族金属氧化物通过溶胶-凝胶法附着于ITO衬底基板的表面的过程包括：

S1、在液相下将过渡族金属氧化物的前驱体溶解；

S2、将溶解液旋涂在ITO衬底基板上；

S3、将ITO衬底基板至于加热台上进行热处理。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，氧化钒的前驱体为异丙醇氧钒或偏钒酸钠，氧化钼的前驱体为乙酰丙酮钼或乙醇钼，氧化钨的前驱体为乙醇钨或异丙醇钨。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，所述步骤S2中，旋涂速度为3000转/分钟，旋涂时间为30s。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，所述空穴注入层的厚度为5~20nm。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，所述步骤S1具体包括：

将前驱体材料溶解在甲醇溶液中，并在常温下搅拌12小时以上。

所述的空穴注入层的制作方法，其中，所述步骤S3中，热处理条件为：温度为110~150℃，时间5~10min。

一种空穴注入层，其中，采用如上所述的方法制成，其中，过渡族金属氧化物为氧化钒、氧化钼和氧化钨中的两种或三种。

一种QLED器件，其中，空穴注入层采用如上所述的空穴注入层。