[发明专利]电子部件和用于从半导体裸片散热的方法有效
申请号: | 201510391221.0 | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN105244329B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | M·斯坦丁;M·波雷 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/373 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 部件 用于 半导体 散热 方法 | ||
1.一种电子部件,包括:
具有厚度的电介质芯层;
至少一个半导体裸片,所述至少一个半导体裸片被嵌入在所述电介质芯层中并且被电耦合至布置在所述电介质芯层的第一侧上的至少一个触点焊盘,其中所述半导体裸片的厚度大于或等于所述电介质芯层的所述厚度,以及
散热层,所述散热层被布置在所述电介质芯层的第二侧上并且被热耦合至所述半导体裸片,
I形状的固定构件,所述I形状的固定构件将所述至少一个半导体裸片固定到所述电介质芯层,所述I形状的固定构件包括增强层和粘接剂层,所述增强层被定位在所述至少一个半导体裸片的外围处,所述粘接剂层被定位在所述半导体裸片和所述电介质芯层的侧表面之间,
其中所述散热层包括具有各向同性的热导率的材料,并且
其中所述至少一个半导体裸片被嵌入在所述电介质芯层中的孔中。
2.根据权利要求1所述的电子部件,进一步包括被接合至所述电介质芯层的两个相对主表面的至少一部分的金属箔。
3.根据权利要求1所述的电子部件,进一步包括被布置在所述电介质芯层的至少一侧上的导电重分布结构。
4.根据权利要求1所述的电子部件,进一步包括被布置在所述电介质芯层中的至少一个导电过孔。
5.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述电介质芯层具有在25μm与500μm之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述电子部件符合联合电子器件工程委员会(JEDEC)封装印迹。
7.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述电子部件符合联合电子器件工程委员会(JEDEC)封装轮廓。
8.根据权利要求1所述的电子部件,进一步包括被布置在所述散热层上的热沉。
9.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述散热层具有顶侧和下侧,其中所述顶侧和所述下侧中的至少一个是平面的。
10.根据权利要求1所述的电子部件,所述散热层包括在至少两个相对的表面上的绝缘层。
11.根据权利要求10所述的电子部件,其中所述绝缘层包括经阳极氧化的氧化铝。
12.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述散热层的至少下表面具有与所述电介质芯层的面积相同的面积。
13.根据权利要求1所述的电子部件,其中所述散热层的至少上边缘区域被嵌入在另一绝缘材料中。
14.根据权利要求1所述的电子部件,其中至少一个触点焊盘在所述至少一个半导体裸片的外围被布置在所述电介质芯层的所述第一侧上。
15.根据权利要求1所述的电子部件,其中至少一个触点焊盘被布置在覆盖着所述半导体裸片的所述电介质层的所述第一侧上。
16.一种用于从半导体裸片散热的方法,包括:
将至少一个半导体裸片嵌入在电介质芯层中,其中所述半导体裸片的厚度大于或等于所述电介质芯层的厚度;
将所述至少一个半导体裸片电耦合至布置在所述电介质芯层的第一侧上的至少一个触点焊盘;和
将散热层布置在所述电介质芯层的第二侧上并且使所述散热层热耦合至所述半导体裸片,通过I形状的固定构件将所述至少一个半导体裸片固定到所述电介质芯层,所述I形状的固定构件包括增强层和粘接剂层,所述增强层被定位在所述至少一个半导体裸片的外围处,所述粘接剂层被定位在所述半导体裸片和所述电介质芯层的侧表面之间,其中所述散热层包括具有各向同性的热导率的材料,并且其中所述至少一个半导体裸片被嵌入在所述电介质芯层中的孔中。
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