[发明专利]一种具有铝带或L脚或凸起的封装框架结构及生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种具有铝带或者L脚或者凸起的半导体封装框架结构。

背景技术

集成电路(IC)产品由芯片、引线和引线框架、粘接材料、封装材料等几大部分构成。其中，引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体，并作为导电介质连接IC外部电路，传送电信号，以及与封装材料一起，向外散发芯片工作时产生的热量，成为IC中极为关键的零部件。

电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。由U1-U2＝Ed知,决定电容器的击穿电压的是击穿场强E和两极板的距离d。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。在半导体封装领域，比如在竖直方向金属片与其下方的框架之间，水平方向芯片与芯片之间就形成了一个类似的电容器结构。所述金属片一般通过助焊剂与芯片焊接，同时金属片又与引脚电性连接，金属片实际上起到替代打线的作用。

如果对这一个类似的电容器结构控制不好，使得击穿电压过低，就很容易使得芯片被击穿，造成短路、器件损毁的严重后果。

现有技术中已有这方面的研究如专利CN 201420101959.X集成电路的双基岛引脚引线框结构，包括基板上设有基岛及引线框单元，所述基岛上设有芯片，所述芯片设有7个引线管脚，基岛之间的间隙距离为0.5mm，引线管脚与基岛之间间隙距离为0.4mm；引线框单元8个为一列，分成若干列设置在所述基板上。该专利解决了在水平方向上微小间距电压击穿空气放电现象，克服传统SOP双基岛封装对微小间距电压击穿空气放电的不足。

但是现有技术中并没有对竖直方向上金属片与框架之间的击穿电压进行研究。竖直方向上仍然存在击穿电压低，安全性差，产品稳定性不高的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了竖直方向击穿电压高的封装框架结构，包括：

一种具有铝带的封装框架结构的生产方法，包括以下步骤：

步骤S101：取一金属基板，采用冲制方法或者化学蚀刻或者激光蚀刻技术将金属基板正面制成带有若干个突出部分的框架本体1，所述突出部分作为载体4，所述载体4周围部分为切线槽5；

步骤S102：将晶圆厚度减薄后切割成芯片2，并将芯片2与载体4固定连接；

步骤S103：取铝片或铝合金片，通过模具冲压方法将铝片或者铝合金片制成铝带6，再将铝带6焊接到切线槽5上和/或框架本体1的边框上；

步骤S104：将金属片3焊接在芯片2的上方，焊接时控制金属片3与框架本体1之间距离与铝带6的高度相同。

一种具有铝带的封装框架结构的生产方法，包括如下步骤：

步骤S201：制作框架本体1，取一金属基板，采用冲制方法或者化学蚀刻或者激光蚀刻技术将金属基板制成带有若干个突出部分的框架本体1，所述突出部分作为载体4，所述框架本体1包括用来安放芯片2载体4以及载体4周围部分的切线槽5；

步骤S202：将芯片2与载体4固定连接；

步骤S203：制作L脚7并焊接在框架本体1上，所述L脚至少包括上水平部71和竖直部72，取片状或者块状金属，通过模具冲压或者锻压方法将片状或者块状金属直接制成L脚7，或者分别通过模具冲压或者锻压方法制得上水平部71和竖直部72，再将两者焊接制得L脚7，制得L脚7后再将L脚7焊接到切线槽5上和/或框架本体1的边框上；

步骤S204：将金属片3焊接在芯片2的上方，焊接时控制金属片3与框架本体1之间距离与铝带6的高度相同，使得铝带6的顶部与金属片3相抵触。

一种具有凸起的封装框架结构的生产方法，包括以下步骤：

步骤S301：取一金属基板，在金属基板上冲压出定位孔并通过冲压或锻压在金属基板正面形成若干个凸起8和若干个突出部分，即制得框架本体1，所述突出部分作为载体4，所述载体4周围部分的切线槽5；

步骤S302：将芯片2与载体4固定连接；

步骤S303：所述芯片2与其上方金属片3焊接，焊接时控制金属片3与框架本体1之间距离与凸起8的高度相同。

一种具有铝带的封装框架结构，包括框架本体1、芯片2、金属片3，所述框架包括载体4、切线槽5，所述载体4用来安放芯片2，所述芯片2下方与载体4焊接，所述芯片2上方与金属片3焊接，所述框架上的载体4周围部分是切线槽5，所述切线槽5上焊接有铝带6，所述铝带中间部分向上弯曲与金属片线接触或者面接触，所述铝带两端与切线槽焊接。