[发明专利]底漆组合物、在半导体器件上形成底漆层的方法、和封装半导体器件的方法

权利要求书

1.用于半导体器件的底漆组合物，其包含

a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和

b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物。

2.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物具有通式(I)

L-(B)_n(1)

其中

B为苯并噁嗪部分，

n为2、3或4；

L为直接的键，或为选自以下基团的连接基团：任选取代的C₁-C₂₀烷基，任选取代的C₂-C₂₀烯基，任选取代的C₂-C₂₀炔基，任选取代的单环、稠合多环或桥连多环的C₅-C₂₀芳基，任选取代的C₃-C₂₀单-或多-环烷基，任选取代的C₃-C₂₀单-或多-环烯基；任选取代的2-20元杂烷基，任选取代的2-20元杂烯基，任选取代的2-20元杂炔基，任选取代的5-20元单环、稠合多环或桥连多环的杂芳基，任选取代的3-20元单-或多-杂环烷基，和任选取代的3-20元单-或多-杂环烯基；-O-，-NR-，和-S-，其中R选自H、任选取代的C₁-C₆烷基和任选取代的C₅-C₂₀芳基，和

其中L连接至苯并噁嗪部分，优选经由所述苯并噁嗪部分的苯基环部分连接。

3.根据权利要求2的底漆组合物，其中n为2。

4.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物具有通式(II)

其中L为直接的键，或为选自以下基团的连接基团：任选取代的C_1-C₂₀烷基，任选取代的C₂-C₂₀烯基，任选取代的C₂-C₂₀炔基，任选取代的单环、稠合多环或桥连多环的C₅-C₂₀芳基，任选取代的C₃-C₂₀单-或多-环烷基，任选取代的C₃-C₂₀单-或多-环烯基；任选取代的2-20元杂烷基，任选取代的2-20元杂烯基，任选取代的2-20元杂炔基，任选取代的5-20元单环、稠合多环或桥连多环的杂芳基，任选取代的3-20元单-或多-杂环烷基，和任选取代的3-20元单-或多-杂环烯基；-O-，-NR-，和-S-，其中R选自H、任选取代的C₁-C₆烷基和任选取代的C₅-C₂₀芳基，和

其中R¹和R²各自独立地选自任选取代的C₁-C₆烷基、任选取代的C₅-C₂₀芳基、羟基、烷氧基、氰基、卤素基团、硝基、甲硅烷基和氨基。

5.根据权利要求4的底漆组合物，其中所述L选自-C(CH₃)₂-、-CH₂-、-S-、

6.根据权利要求4的底漆组合物，其中所述R¹和R²中至少一个为

7.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述多-官能的苯并噁嗪化合物选自以下物质：

8.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述对金属表面具有亲和性的官能团为对银和锡中至少一个具有亲和性的官能团。

9.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述对金属表面具有亲和性的官能团选自羧基、环氧基团、有机磷基团和胺基团。

10.根据权利要求1的底漆组合物，其中所述可交联基团选自磺酰基、硝基、卤素基团、氰基、羟基、羧基、胺基团、环氧基团、有机硅基团和异氰酸酯基团。