[发明专利]底漆组合物、在半导体器件上形成底漆层的方法、和封装半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明各种实施方案总体涉及底漆组合物、在半导体器件上形成底漆层的方法、和封装半导体器件的方法。

背景技术

基于携有微电子元件的引线框架的小型电子器件，例如集成电路(IC)芯片，通常具有暴露在外的金属部分，其会经受氧化并且最终被腐蚀。例如，引线框架可以由铜、铝、镍、贵金属、或各种铁合金构成，其可被氧化至不同的程度。

通常，在制造之后，引线框架用抗腐蚀涂层来进行处理，以在元件与引线框架连接之前抑制腐蚀。然而，由于微电子元件对引线框架的不良的粘接，抗腐蚀涂层可能会出现问题。在其中使用热接合来制造小型电子器件的情况下，抗腐蚀涂层可能会从涂覆表面脱离，和/或化学分解，导致该微电子元件的污染。由于需要额外的时间和工作量来去除污染，这会影响加工效率。当污染不能被去除时，该产品就会报废，导致较低的产品产率。

发明概述

各种实施方案提供用于半导体器件的底漆组合物。该底漆组合物包含

a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和

b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物。

各种实施方案提供在半导体器件上形成底漆层的方法。该方法包括

A)提供半导体器件，其具有施加在其上的底漆组合物，该底漆组合物包含a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物；和

B)固化该底漆组合物以形成底漆层。

各种实施方案提供封装半导体器件的方法。该方法包括

A)将底漆组合物施加到至少一种半导体器件和模塑化合物的表面上，该底漆组合物包含a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物；

B)在该半导体器件上布置该模塑化合物，以使该底漆组合物的至少一部分位于该模塑化合物和该半导体器件之间并与之接触；和

C)在合适的条件下固化该底漆组合物以使该底漆组合物与该模塑化合物交联，由此封装该半导体器件。

各种实施方案提供包含底漆组合物的模塑组合物。该底漆组合物包含

a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和

b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物。

各种实施方案提供在基材上施加底漆组合物的方法。该底漆组合物包含

a)至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和

b)至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物；

该方法包括将该底漆组合物与模塑组合物混合，并将所得的混合物施加到该基材的表面上。

附图说明

当结合非限制性实施例和附图考虑时，参照详细的说明，各种实施方案将会被更好地理解，其中：

图1A至1D为集成电路封装(package)的横截面视图。在图1A中，芯片102置于引线接合焊垫(wirebondpad)106上，其进而置于引线框架108上。接合线104将芯片102连接至引线接合焊垫106。芯片102、接合线104、引线接合焊垫106和引线框架108组成集成电路100。该集成电路100置于胶带110上。在图1B中，底漆组合物120涂覆在芯片102、接合线104，引线接合焊垫106、引线框架108和胶带110的暴露在外的区域上，其可以通过喷涂或超声喷涂工艺来实施。底漆组合物120可以在引线接合之后和模塑之前进行涂覆。随后，施加模塑化合物112以封装集成电路100，如图1C所示，以形成集成电路封装150。底漆组合物120可以在施加该模塑化合物112之后进行固化。在模塑化合物112硬化之后，除去胶带110，并将集成电路封装150转移至金属板114上，如图1D所示。

图2为根据各种实施方案的具有官能A、B、C和D的底漆层的示意图。在各种实施方案中，A表示银的配体例如羧基；B表示锡的配体例如有机磷基团和/或胺基团；C表示交联基团例如硅烷基团；和D表示苯并噁嗪基团。该底漆组合物可以包含至少一种含有D的化合物，和至少一种含有A、B和/或C的化合物。通过固化，可以形成具有官能A、B、C和D的底漆层。