[发明专利]检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统有效
申请号: | 201510400408.2 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN105279306B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 申在弼;康彰佑;金宗沅;李昊俊;张圭伯;郑元永 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F30/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;陈源 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 应力 训练 简化 模型 释放 方法 计算 系统 | ||
本发明提供了检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统。一种对包括了由不同材料形成的第一图案和第二图案的集成电路的应力进行检测的方法,该方法可以包括:确定第一图案的一个或多个应力检测点;将包括了一个或多个应力检测点中的第一应力检测点的区域划分为多个分隔区;计算第二图案在各分隔区处的面积;以及/或者基于第二图案在各分隔区处的面积来检测由第二图案施加至第一图案的第一应力检测点的应力水平。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年7月9日提交至韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2014-0085953的优先权,该申请的全部内容以引用方式并入本文中。
技术领域
示例实施例一般可以涉及半导体电路的设计和验证。示例实施例一般可以涉及检测应力的方法、训练简化模型的方法、释放应力的方法,以及/或者计算系统。
背景技术
在例如集成电路的半导体电路中,相邻图案可由不同材料形成。在这些相邻图案(例如,有源图案和隔离层图案)的材料具有不同的膨胀系数(或不同的热膨胀系数)的情况下,每一个图案均可处于应力下,并且会由一个或多个图案的位错导致缺陷,例如待机漏电流或裂痕。
发明内容
部分示例实施例可以提供在验证集成电路的设计时检测集成电路的应力的方法。
部分示例实施例可以提供在验证集成电路的设计时用于检测集成电路的应力的计算系统。
部分示例实施例可以提供训练用于检测集成电路的应力的简化模型的方法。
部分示例实施例可以提供用于训练简化模型的计算系统,所述简化模型用于检测集成电路的应力。
部分示例实施例可以提供释放集成电路的应力的方法。
部分示例实施例可以提供用于释放集成电路的应力的计算系统。
在部分示例实施例中,一种对包括了由不同材料形成的第一图案和第二图案的集成电路的应力进行检测的方法可以包括:确定第一图案的一个或多个应力检测点;将包括了所述一个或多个应力检测点中的第一应力检测点的区域划分为多个分隔区;计算第二图案在各分隔区处的面积;以及/或者基于第二图案在各分隔区处的面积来检测由第二图案施加至第一图案的第一应力检测点的应力水平。
在部分示例实施例中,第一应力检测点可以包括从下列各点中选择的至少一个:第一图案的凸点、第一图案的凹点、以及第一图案的投影点。
在部分示例实施例中,可以遍及集成电路的全部区域来执行一个或多个应力检测点的确定以及应力水平的检测。
在部分示例实施例中,将包括了第一应力检测点的区域划分为多个隔离区的步骤可以包括:确定以第一应力检测点为中心点的矩形区域;以及/或者将所述矩形区域划分为第一分隔区至第四分隔区。
在部分示例实施例中,检测应力水平的步骤可以包括:对第一系数、第二系数与第二图案在第一分隔区处的面积的乘积、第三系数与第二图案在第二分隔区处的面积的乘积、第四系数与第二图案在第三分隔区处的面积的乘积以及第五系数与第二图案在第四分隔区处的面积的乘积进行求和计算,将计算结果作为所述应力水平。
在部分示例实施例中,将包括了第一应力检测点的区域划分为多个分隔区的步骤可以包括:确定具有不同尺寸的N个矩形区域,以使N个矩形区域中的每一个均以第一应力检测点为中心点,其中N为大于0的整数;以及/或者将N个矩形区域中的每一个划分为M个分隔区,其中M为大于1的整数。
在部分示例实施例中,检测应力水平的步骤可以包括:使用含有第二图案在各分隔区处的面积的L阶等式来计算应力水平,其中L为大于0的整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510400408.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。