[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

高电压电源；控制装置，生成控制所述高电压电源的输出电压的指令信号；电极装置，施加有所述输出电压；及测定装置，测量施加于所述电极装置的实际电压，

所述控制装置包括：

第1生成部，生成用于使所述高电压电源输出目标电压的第1指令信号；

第2生成部，生成第2指令信号，该第2指令信号用于对所述第1指令信号进行补偿，以使由所述测定装置测量的实际电压成为所述目标电压或接近所述目标电压的电压；

指令部，向所述高电压电源输出合成所述第1指令信号及所述第2指令信号而获得的合成指令信号；及

管理部，根据在规定的更新期间内测量的所述实际电压与所述目标电压之差即目标补正电压，每经过所述更新期间将所述第2指令信号的输出值更新到所述第2生成部，

所述管理部提供输出电压补正模式，该输出电压补正模式中，限制所述第2指令信号的更新，以使由所述第2指令信号的更新引起的所述输出电压的电压变动在第1阈值电压以内。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1生成部及所述第2生成部分别包括将数字指令值转换成模拟指令信号的D/A转换器即数字/模拟转换器，

所述指令部向所述高电压电源输出合成第1指令信号和第2指令信号而获得的所述合成指令信号，所述第1指令信号是对表示所述目标电压值的第1指令值进行D/A转换而获得的信号；所述第2指令信号是对表示用于将所述实际电压补偿为所述目标电压或接近所述目标电压的电压的电压值的第2指令值进行D/A转换而获得的信号。

3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

相比与所述第1指令值的单位量变化相对应的所述输出电压的变化值即第1步阶电压，与所述第2指令值的单位量变化相对应的所述输出电压的变化值即第2步阶电压更小。

4.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2步阶电压为所述第1步阶电压的1/10～1/1000。

5.根据权利要求3或4所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2生成部生成所述第2指令信号，以实现关于所述第1生成部所能生成的所述第1步阶电压大小的电压值的中间值。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

相比通过改变所述第1指令值所能调整的所述输出电压的变化幅度，通过改变所述第2指令值所能调整的所述输出电压的变化幅度更小。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2生成部生成所述第2指令信号，以补正并非由所述指令信号的变化引起的所述输出电压的电压变动。

8.根据权利要求7所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2生成部生成所述第2指令信号，以补正由所述高电压电源的温度变化引起的所述电压变动。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述管理部提供输出电压稳定化模式，该输出电压稳定化模式中，限制所述第2指令信号的更新，以便所述目标补正电压在小于所述第1阈值电压的第2阈值电压以内时，在此之后的更新期间使得由所述第2指令信号的更新引起的所述输出电压的电压变动在所述第2阈值电压以内。