[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法

说明书

一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，提高施加于电极装置的电压的精度。本发明的离子注入装置具备：高电压电源(90)；控制装置(104)，生成控制高电压电源的输出电压(HV_O)的指令信号；电极装置(80)，施加有输出电压；及测定装置(120),用于测量施加于电极装置的实际电压(HV_R)。控制装置包括：第1生成部(110)，生成用于使高电压电源输出目标电压的第1指令信号；第2生成部(112)，生成第2指令信号，第2指令信号对第1指令信号进行补偿，以使由测定装置测量的实际电压成为目标电压或接近目标电压的电压；及指令部(114)，向高电压电源输出合成第1指令信号及第2指令信号而获得的合成指令信号。

技术领域

本申请主张基于2014年7月9日申请的日本专利申请第2014-141481号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置。

背景技术

半导体制造工序中，出于改变导电性以及半导体晶片的晶体结构的目的等而规范地实施向半导体晶片注入离子的工序(以下有时称为“离子注入工序”)。在离子注入工序使用的装置被称为离子注入装置，该装置具有通过离子源生成离子，并使生成的离子加速以形成离子束的功能；及将该离子束传输至真空处理室，并向处理室内的晶片照射离子束的功能。

离子注入装置例如构成为，沿着射束线配置有离子源、引出电极、质谱分析磁铁装置、射束扫描装置、射束平行化装置、角能量过滤器装置、晶片处理室等，并向半导体用基板即晶片注入离子。构成射束线的这些装置利用在施加有电压的电极之间产生的电场和磁铁装置所产生的磁场来控制离子束。例如，为了控制施加于构成射束线的装置的电极之间的电压，组合利用高输出专用电源与低输出专用电源(参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开平10-112277号公报

若施加于构成射束线的装置的电极的电压发生变化，则通过射束线传输的离子束的轨道和对晶片的入射角度也会发生变化。若离子束的轨道和对晶片的入射角度发生变化，则离子束与晶片之间的相互作用的方式也发生变化，可能会影响到离子注入的处理结果。

发明内容

本发明的一种方式的例示目的之一在于提供一种提高施加于电极装置的电压的精度的技术。

本发明的一种方式的离子注入装置具备：高电压电源；控制装置，生成控制高电压电源的输出电压的指令信号；电极装置，施加有输出电压；及测定装置，用于测量施加于电极装置的实际电压。控制装置包括：第1生成部，生成用于使高电压电源输出目标电压的第1指令信号；第2生成部，生成第2指令信号，该第2指令信号用于对第1指令信号进行补偿，以使由测定装置测量的实际电压成为目标电压或接近目标电压的电压；及指令部，向高电压电源输出合成第1指令信号及第2指令信号而获得的合成指令信号。

本发明另一方式为一种离子注入装置的控制方法。该方法为如下离子注入装置的控制方法，该离子注入装置具备：高电压电源；控制装置，生成控制高电压电源的输出电压的指令信号；电极装置，施加有输出电压；及测定装置，用于测量施加于电极装置的实际电压，该方法包括下列工序：生成用于使高电压电源输出目标电压的第1指令信号；生成第2指令信号，该第2指令信号对第1指令信号进行补偿，以使由测定装置测量的实际电压成为目标电压或接近目标电压的电压；及向高电压电源输出合成第1指令信号及第2指令信号而获得的合成指令信号。

另外，在方法、装置、系统等之间相互替换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件或表现形式的发明，作为本发明的方式同样有效。

发明效果

根据本发明，能够提高施加于电极装置的电压的精度。

附图说明

图1为概略表示本发明的一种实施方式所涉及的离子注入装置的顶视图。