[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

权利要求书

1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：

指纹亲和层(10)；

透明基材层(20)，设置于所述指纹亲和层(10)的表面上；

ITO层(60)，设置于所述透明基材层(20)的远离所述指纹亲和层(10)的表面上，所述ITO层(60)包括：

第一非结晶ITO层(61)，设置在所述透明基材层(20)的远离所述指纹亲和层(10)的表面上；

结晶ITO层(62)，设置在所述第一非结晶ITO层(61)的远离所述透明基材层(20)的表面上；以及

第二非结晶ITO层(63)，设置在所述结晶ITO层(62)的远离所述第一非结晶ITO层(61)的表面上，在后期的热处理过程中，所述第一非结晶ITO层(61)和所述第二非结晶ITO层(63)保持非结晶态，收缩率保持不变。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)和/或第二非结晶ITO层(63)中Sn的重量含量为7％～30％；所述结晶ITO层(62)中Sn的重量含量为1％～7％。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)的厚度在1～15nm之间；所述结晶ITO层(62)的厚度在5～25nm之间；所述第二非结晶ITO层(63)的厚度在1～10nm之间。

4.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)的厚度在5～10nm之间。

5.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述结晶ITO层(62)的厚度在10～20nm之间。

6.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二非结晶ITO层(63)的厚度在1～5nm之间。

7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)为丙烯酸树脂层；所述指纹亲和层(10)的铅笔硬度在4B～9H之间。

8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)的铅笔硬度在2B～5H之间。

9.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括硬化层(30)，所述硬化层(30)设置在所述透明基材层(20)与所述第一非结晶ITO层(61)之间，所述硬化层(30)的厚度在0.3～50μm之间。

10.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬化层(30)的厚度在0.5～5μm之间。

11.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)的厚度比所述硬化层(30)的厚度大0.1～5μm。

12.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)的厚度比所述硬化层(30)的厚度大0.3～1.5μm。

13.根据权利要求1或9所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括：

第一光学调整层(40)，设置在所述透明基材层(20)与所述第一非结晶性ITO层(61)之间；以及

第二光学调整层(50)，设置在所述第一光学调整层(40)与所述第一非结晶ITO层(61)之间。

14.根据权利要求13所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的折射率在1.55～3.00之间；所述第一光学调整层(40)的厚度在5nm～10μm之间。

15.根据权利要求13所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的折射率在1.60～2.80之间。