[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

说明书

本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括指纹亲和层、透明基材层与ITO层。其中，透明基材层设置于指纹亲和层的表面上，ITO层包括第一非结晶ITO层、结晶ITO层与第二非结晶ITO层，第一非结晶ITO层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上，结晶ITO层设置在第一非结晶ITO层的远离透明基材层的表面上，第二非结晶ITO层设置在结晶ITO层的远离第一非结晶ITO层的表面上。该透明导电膜的密着性较好，抗污耐滑能力较好，阻抗较低，立体纹不明显，成本较低，制备工艺简单。

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。

背景技术

密着性是指相邻两层的附着力，附着力大则密着性好，电容式触摸屏中各个层之间较好的密着性保证了电容式触摸屏的正常工作，保证了电容式触摸屏具有良好的性能，密着性不好，则电容式触摸屏的性能受到影响，造成ITO层剥落，导电不良，甚至不能正常工作，因此，各个层之间的密着性好坏直接影响了电容式触摸屏的性能影，尤其是ITO层与和其相邻的两层之间的密着性对电容式触摸屏的性能影响更大。

现有技术中的电容式触摸屏中的ITO层通常是结晶ITO层，结晶ITO层与和其下的光学调整层的密着性较差，需要做特殊处理才能保证较好的密着性，同时，结晶ITO层与设置于其上的银或铜导电层之间的密着性也较差，也要做特殊处理来保证银或者铜导电层与结晶ITO层的密着性，进而保证电容式触摸屏具有良好的性能。

另外，在制作透明导电膜时，硬化层很容易被污染，为了解决此问题，现有技术中在制作透明导电膜时，经常会贴覆耐保护膜来保护硬化层，这样增加了制作透明导电膜的成本，并且复杂了工艺程序，降低了透明导电膜的生产效率。

因此，亟需一种不需要特殊处理密着性就比较好，并且无需贴覆保护膜就可以使硬化层抗污耐划的透明导电膜与电容式触摸屏。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电膜密着性差且抗污耐滑能力差的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电膜包括指纹亲和层、透明基材层与ITO层。其中，上述透明基材层设置于上述指纹亲和层的表面上，上述ITO层包括第一非结晶ITO层、结晶ITO层与第二非结晶ITO层，第一非结晶ITO层设置在上述透明基材层的远离上述指纹亲和层的表面上，结晶ITO层设置在上述第一非结晶ITO层的远离上述透明基材层的表面上，第二非结晶ITO层设置在上述结晶ITO层的远离上述第一非结晶ITO层的表面上。

进一步地，上述第一非结晶ITO层和/或第二非结晶ITO层中Sn的重量含量为7％～30％；上述结晶ITO层中Sn的重量含量为1％～7％。

进一步地，上述第一非结晶ITO层的厚度在1～15nm之间，优选在5～10nm之间；上述结晶ITO层的厚度在5～25nm之间，优选在10～20nm之间；上述第二非结晶ITO层的厚度在1～10nm之间，优选在1～5nm之间。

进一步地，上述指纹亲和层为丙烯酸树脂层；上述指纹亲和层的铅笔硬度在4B～9H之间，优选在2B～5H之间。

进一步地，上述透明导电膜还包括硬化层，上述硬化层设置在上述透明基材层与上述第一非结晶ITO层之间，上述硬化层的厚度在0.3～50μm之间，优选在0.5～5μm之间。

进一步地，上述指纹亲和层的厚度比上述硬化层的厚度大0.1～5μm，优选上述指纹亲和层的厚度比上述硬化层的厚度大0.3～1.5μm。

进一步地，上述透明导电膜还包括第一光学调整层与第二光学调整层，第一光学调整层设置在上述透明基材层与上述第一非结晶性ITO层之间；第二光学调整层设置在上述第一光学调整层与上述第一非结晶ITO层之间。