[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏有效
| 申请号： | 201510404734.0 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104951168B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐金龙;张国臻 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电膜 透明基材层 光学调整层 亲和层 指纹 电容式触摸屏 结晶ITO层 制备工艺 非结晶 立体纹 耐滑性 抗污 与非 阻抗 | ||
1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：
指纹亲和层（10）；
透明基材层（30），设置在所述指纹亲和层（10）的表面上；
光学调整层（50），设置在所述透明基材层（30）的远离所述指纹亲和层（10）的表面上；以及
非结晶ITO层（70），设置在所述光学调整层（50）的远离所述透明基材层（30）的表面上，所述非结晶ITO层（70）由非结晶ITO形成，所述非结晶ITO是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种ITO。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为7%～30%。
3.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为8%～20%。
4.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为15%。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）的厚度在10～100nm之间。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）的厚度在15～40nm之间。
7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层（10）为丙烯酸树脂层；所述指纹亲和层（10）的铅笔硬度在3B~4H之间。
8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层（10）的铅笔硬度在B~3H之间。
9.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括硬化层（40），所述硬化层（40）设置在所述透明基材层（30）与所述光学调整层（50）之间，所述硬化层（40）的铅笔硬度在3B~4H之间。
10.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬化层（40）的铅笔硬度在B~3H之间。
11.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬化层（40）的厚度在0.3~10μm之间。
12.根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬化层（40）的厚度在0.5~3.0μm之间。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层（10）的厚度比所述硬化层（40）的厚度大0.1～5μm。
14.根据权利要求13所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层（10）的厚度比所述硬化层（40）的厚度大0.3～1.5μm。
15.根据权利要求1或9至12中的任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述光学调整层（50）还包括：
第一光学调整层（51），设置在所述透明基材层（30）与所述非结晶ITO层（70）之间；以及
第二光学调整层（52），设置在所述第一光学调整层（51）与所述非结晶ITO层（70）之间。
16.根据权利要求15所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层（51）的折射率1.55~3.00之间；所述第一光学调整层（51）的厚度在5nm~10μm之间。
17.根据权利要求16所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层（51）的折射率在1.60~2.80之间。
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