[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

说明书

本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层，其中，透明基材层设置在指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶ITO层设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜的立体纹不明显，抗污耐滑性较好，阻抗较低，成本较低，制备工艺较简单。

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。

背景技术

现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满足部分高端客户的需求。

立体纹产生原因主要是因为：(1)ITO层(氧化铟锡层)的蚀刻部分与非蚀刻部分产生了光学特性差别(包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差)，从而产生立体纹路；(2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现象，这是因为ITO层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力较大，尤其是ITO层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致ITO层与透明基材层及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。

现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜，进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在ITO层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体纹，使得电容式触摸屏不足以满足客户的需求。

另外，在制作透明导电膜时，硬化层很容易被污染或划伤，为了解决此问题，现有技术中在制作透明导电膜时，经常会贴覆耐保护膜来保护硬化层，这样增加了制作透明导电膜的成本，并且复杂了工艺程序，降低了透明导电膜的生产效率。

因此，亟需一种低立体纹并且无需贴覆保护膜就可以使硬化层抗污耐划的透明导电膜与电容式触摸屏。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电膜的抗污耐滑性差、立体纹较明显的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层，其中，透明基材层设置在指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶ITO设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。

进一步地，上述非结晶ITO层(70)中Sn的重量含量为7％～30％，优选为8％～20％，更优选为15％。

进一步地，上述非结晶ITO层的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。

进一步地，上述指纹亲和层为丙烯酸树脂层；上述指纹亲和层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

进一步地，上述透明导电膜还包括硬化层，上述硬化层设置在上述透明基材层与上述光学调整层之间，上述硬化层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间，进一步优选上述硬化层的厚度在0.3～10μm之间，更进一步优选在0.5～3.0μm之间。

进一步地，上述指纹亲和层的厚度比上述硬化层的厚度大0.1～5μm，优选大0.3～1.5μm。

进一步地，上述光学调整层还包括：第一光学调整层与第二光学调整层，第一光学调整层设置在上述透明基材层与上述非结晶ITO层之间，第二光学调整层设置在上述第一光学调整层与上述非结晶ITO层之间。

进一步地，上述第一光学调整层的折光度1.55～3.00之间，优选在1.60～2.80之间；上述第一光学调整层的厚度在5nm～10μm之间，优选在10nm～5μm之间。