[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏有效
| 申请号： | 201510404993.3 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104951169B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐金龙;张国臻 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 包含 电容 触摸屏 | ||
1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：
第一硬化层（10）；
透明基材层（30），设置在所述第一硬化层（10）的表面上，所述透明基材层（30）的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5%，垂直于所述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1%；
第二硬化层（50），设置在所述透明基材层（30）的远离所述第一硬化层（10）的表面上；以及
非结晶ITO层（70），设置在所述第二硬化层（50）的远离所述透明基材层（30）的表面上，其中，非结晶ITO层（70）在后期的热处理过程后，不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得非结晶ITO层的收缩率保持不变。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为7%～30%。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为8%～20%。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）中Sn的重量含量为15%。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）的厚度在10～100nm之间。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层（70）的厚度在15～40nm之间。
7.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（50）的折射率在1.59~1.80之间。
8.根据权利要求1或7所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（50）的铅笔硬度在3B~4H之间。
9.根据权利要求1或7所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（50）的铅笔硬度在在B~3H之间。
10.根据权利要求8所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（50）的厚度在0.3~10μm之间。
11.根据权利要求8所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（50）的厚度在0.5~3.0μm之间。
12.根据权利要求1、10或11所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一硬化层（10）的铅笔硬度在3B~4H之间。
13.根据权利要求1、10或11所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一硬化层（10）的铅笔硬度在B~3H之间。
14.根据权利要求12所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一硬化层（10）的厚度比所述第二硬化层（50）的厚度大0.1～0.5μm。
15.根据权利要求1或14所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层（30）的全光透过率大于85%。
16.根据权利要求1或14所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层（30）的厚度在10~500μm之间。
17.根据权利要求1或14所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层（30）的厚度在20~200μm之间。
18.一种电容式触摸屏，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜为权利要求1至17中任一项所述的透明导电膜。
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