[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

根据本发明的一实施例的半导体存储器件包括分别耦接至第一字线群组和第二字线群组的第一单元串和第二单元串。一种操作所述半导体存储器件的方法可以包括通过施加通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成通道；通过所述位线以将在所述第一单元串的存储单元中耦接至所述第一字线群组的选中的字线的选中的存储单元的数据反映在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线以感测所述第二单元串的电荷量，来确定选中的存储单元的数据。

相关申请的交叉引用

本申请主张2014年7月15日申请的韩国专利申请号10-2014-0089235的优先权，其内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种范例的实施例是总体而言涉及一种电子器件，并且更具体而言是涉及一种半导体存储器件及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件是利用例如是硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或是磷化铟(InP)的半导体来体现。半导体存储器件被分类成为易失性(volatile)存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件在电源切断时可能会失去所储存的数据。易失性存储器件的例子包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器件可以保存所储存的数据，而不论电源的通/断状况为何。非易失性存储器的例子包括只读存储器(ROM)、掩蔽型只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电性可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)。闪存可以被分类成为NOR型存储器和NAND型存储器。

为了改善半导体存储器件的集成度，已经对具有一种三维的阵列结构的半导体存储器件进行了研究。

发明内容

本发明是针对于一种具有改善的读取速度的半导体存储器件及其操作方法。

根据本发明的一实施例的操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括共享位线并且分别耦接至第一字线群组和第二字线群组的第一单元串和第二单元串，所述方法可以包括：通过施加第一通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成通道；通过所述位线以将所述第一单元串的存储单元之中的耦接至所述第一字线群组的选中的字线的选中的存储单元的数据反映(reflect)在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线以感测所述第二单元串的电荷量，来确定选中的存储单元的数据。

所述通道在所述第二单元串中的形成可以包括：施加位线电压至所述位线；以及通过电连接所述第二单元串至所述位线以响应于所述位线电压来初始化所述第二单元串的通道。

选中的存储单元的数据在所述第二单元串的通道上的反映可以包括将选中的存储单元的数据反映在所述位线，其中所述第二单元串的电荷量是随着所述位线的电压而改变。

所述操作方法可以进一步包括在选中的存储单元的数据被反映在所述第二单元串的通道上之后，将所述第二单元串与所述位线电性分离。

选中的存储单元的数据的确定可以包括：通过施加第二通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成所述通道；以及电连接所述第二单元串的通道至所述位线，以将所述第二单元串的电荷量反映在所述位线上。

选中的存储单元的数据的确定可以进一步包括通过感测所述位线的电压以确定选中的存储单元的数据。

在选中的存储单元的数据的确定中，所述第一单元串可以与所述位线电性分离。