[发明专利]一种真空减压装置有效
申请号: | 201510406277.9 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN105177528B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 减压 装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种真空减压装置,具体涉及一种设有整流装置的真空减压装置。
背景技术
目前,真空减压装置(VCD)是制作薄膜工艺中常用的方法,通常情况下,所呈薄膜是面状薄膜,对设备要求不高。结合图1、图2所示,现有VCD设备包括腔室1和基台2,其中,基台2位于腔室1内,将抽气孔4开在基台2的底部或者是设备的侧面。该VCD设备结构简单,对于满足普通的整面成膜是没有问题的。但是,如果薄膜最终要沉积在像素级尺寸上,由于各像素间存在阻挡层,每个像素的表面张力变成了一个不可忽略的因素。现有VCD设备无法保证像素内成膜的均一性。为了更好地理解,以有机墨水自然的干燥过程举例说明:首先,在初始时刻的液体表面(凸起的弧形膜面)张力方向是朝下的,但是随着溶剂不断地挥发,膜面开始下降,直至变平。由于现有VCD设备无法调整腔室内的气流变化,干燥完成后,如图9所示,在膜面10的两侧会形成一个突起,这个突起的存在严重影响到有效显示的面积和后续层的膜面状况。因此,将成膜的均一性控制在像素级别,现有VCD设备就显得有些能力不足了,因为其无法保证像素内成膜的均一性。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是现有VCD设备无法保证像素内成膜的均一性的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种真空减压装置,其包括:腔室、基台及整流装置,所述腔室上开设有多个抽气孔,所述基台设置于腔室内,且在基台上装载有待干燥的基板;所述整流装置设置于基台的上方,用于调整所述基板周围的气流。
其中,该真空减压装置还包括:升降装置,所述升降装置与整流装置连接,用于带动所述整流装置在腔室内升降移动。
其中,所述升降装置包括驱动单元和伸缩杆,所述驱动单元设置在所述腔室的顶部,所述伸缩杆的一端与驱动单元连接,另一端伸入所述腔室且与所述整流装置连接。
其中,所述整流装置包括至少一个整流罩,所述整流罩位于所述基台的上方,且其底部为敞口状;所述整流罩的表面开设有多个通孔。
其中,所述整流罩的数量为多个,各个所述整流罩依次套设在一起,且相邻所述整流罩之间存在间隙。
其中,所述整流罩包括:框架及多个金属板,所述金属板分别围设在框架的侧面及顶部;所述多个通孔分别开设在金属板上。
其中,所述金属板与框架之间可拆卸连接。
其中,所述通孔的孔径由所述金属板的中心向其四周依次减小。
其中,所述通孔的孔径由所述金属板的中心向其四周依次增加。
其中,所述抽气孔分别开设在所述腔室的顶部、底部及侧部。
(三)有益效果
本发明的上述技术方案具有以下有益效果:本发明提供一种真空减压装置,通过整流装置实现调整腔室内的气流变化,从而保证像素内成膜的均一性,解决了点亮后像素有效面积小的问题。
附图说明
图1为现有VCD设备中侧面设置抽气孔的俯视图;
图2为现有VCD设备中底部设置抽气孔的侧视图;
图3为本发明实施例真空减压装置的侧视图;
图4为本发明实施例整流罩的立体图;
图5为本发明实施例框架的立体图;
图6为本发明实施例金属板的结构示意图;
图7为本发明实施例气流在经三层整流罩调整后的状态示意图;
图8为本发明实施例真空减压装置成膜后的效果图;
图9为现有VCD设备成膜后的效果图。
其中,1:腔室;2:基台;3:整流装置;4:抽气孔;5:升降装置;6:整流罩;7:通孔;8:框架;9:金属板;10:膜面;A:一级气流;B:二级气流;C:三级气流。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
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